[发明专利]用于非线性光学器件的方法和结构

权利要求书

1.一种用于在等于和低于350纳米下应用的非线性光学器件的复合物，该复合物包括用于非线性光学器件的包含YAl₃B₄O₁₂的材料；所述复合物不含至少为1000ppm的含钼杂质。

2.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述复合物不含至少为500ppm的含钼杂质。

3.如权利要求2所述的复合物，其特征在于，所述复合物不含至少为100ppm的含钼杂质。

4.如权利要求3所述的复合物，其特征在于，所述复合物不含至少为10ppm的含钼杂质。

5.如权利要求4所述的复合物，其特征在于，所述复合物不含至少为1ppm的含钼杂质。

6.如权利要求5所述的复合物，其特征在于，所述复合物基本不含含钼杂质。

7.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述应用是与约350-160纳米的波长相关的。

8.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述应用是与产生低于350纳米的光辐射的器件相关的。

9.如权利要求8所述的复合物，其特征在于，所述器件包括NLO系统。

10.如权利要求8所述的复合物，其特征在于，所述器件包含与激光系统相关的复合物。

11.如权利要求8所述的复合物，其特征在于，所述器件包含与光源相关的复合物。

12.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述复合物与在低于350纳米下使用的三方晶系相关。

13.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述复合物与在低于350纳米下使用的R32空间群相关。

14.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，该复合物还包含掺杂剂，掺杂剂包含选自以下的至少一种：Ce、Nd和Yb。

15.如权利要求14所述的复合物，其特征在于，所述复合物包含NYAB。

16.如权利要求14所述的复合物，其特征在于，所述复合物包含Yb:YAB。

17.如权利要求14所述的复合物，其特征在于，所述复合物包含Ce:YAB。

18.如权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述复合物的体积约大于0.001毫米³。

19.如权利要求18所述的复合物，其特征在于，所述复合物的体积约大于0.01毫米³。

20.如权利要求19所述的复合物，其特征在于，所述复合物的体积约大于0.1毫米³。

21.如权利要求20所述的复合物，其特征在于，所述复合物的体积约大于1毫米³。

22.一种用于在等于和低于350纳米下应用的非线性光学器件的复合物，该复合物包括用于非线性光学器件的包含Y_(1-X)M_XAl₃B₄O₁₂的材料，x大于或等于0，且小于或等于0.1，M选自Sc、La、Yb或Lu；所述复合物不含至少为1000ppm的含钼杂质。

23.一种用于在等于和低于350纳米下应用的非线性光学器件的复合物，该复合物包括用于非线性光学器件的包含Yb_(1-X)M_XAl₃B₄O₁₂的材料，x大于或等于0，且小于或等于0.1，M选自Sc、Y、La或Lu；所述复合物不含至少为1000ppm的含钼杂质。

24.一种用于在等于和低于350纳米下应用的非线性光学器件的复合物，该复合物包括用于非线性光学器件的包含Lu_(1-X)M_XAl₃B₄O₁₂的材料，x大于或等于0，且小于或等于0.1，M选自Sc、Yb或La；所述复合物不含至少为1000ppm的含钼杂质。