[发明专利]用反相图案工艺形成凹陷结构的方法有效
申请号: | 200580016113.X | 申请日: | 2005-05-19 |
公开(公告)号: | CN101356303A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | S·V·斯里尼瓦桑 | 申请(专利权)人: | 分子制模股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/00 | 分类号: | C23F1/00;H01L21/461 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张宜红 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相图 工艺 形成 凹陷 结构 方法 | ||
1.在基板表面上形成凹陷的方法,所述方法包括:
在所述表面上形成具有第一凸起的图案化层,该第一凸起具有第一尺寸和形 状;
将所述形状反相转移到所述表面,该形状的反相具有不同于所述第一尺寸的 第二尺寸。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述转移步骤还包括将所述形状 反相转移到一个基板上。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述转移步骤还包括将所述形状 反相转移到一个底层上。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述转移步骤还包括将所述形状 反相转移到所述表面与所述第一凸起中的一个凸起重叠的区域中。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述转移步骤还包括将所述形状 反相转移到底层与所述第一凸起相重叠的区域中。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述转移步骤还包括形成许多从 所述第一凸起延伸到所述表面的第二凸起,用保形层覆盖所述许多第二凸起,其中 所述保形层和所述第二凸起的第一部分对于等离子体蚀刻化学物质具有类似的蚀 刻特性,所述第二凸起的第二部分相对于所述等离子体蚀刻化学物质的蚀刻特性不 同于所述保形层。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二尺寸小于所述第一尺寸。
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