[发明专利]在低温下形成的用于MEMS封装的耐热气密性密封无效
| 申请号： | 200580018496.4 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1964915A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | D·卢;约翰·赫克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 形成 用于 mems 封装 耐热 气密性 密封 | ||
【说明书】：
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