[发明专利]用于处理基板的外周部的方法及设备有效
申请号: | 200580023196.5 | 申请日: | 2005-07-08 |
公开(公告)号: | CN101124663A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 野上光秀;长谷川平;功刀俊介 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/306;C23F4/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 外周部 方法 设备 | ||
1.一种用于处理基板的外周部的方法,其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物质通过使其与反应性气体接触而被去除,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
通过台支撑所述基板,以便使所述基板的邻近外周部的部分以所述基板的外周部从所述台突出的方式与台的支撑表面接触;
利用热光局部加热在所述基板的突出的外周部的目标位置;
将所述反应性气体供给到所述目标位置;和
通过至少设置在所述台的外周部处、并且不设置在中央部分处的吸热装置对所述基板的所述外周部的紧接的内部部分进行吸热,或者通过设置在所述台的整个区域内的吸热装置对整个支撑表面进行吸热,致使从不应被去除的膜上吸热,所述膜涂覆在所述基板的外周部内部的区域上,
所述目标位置和所述紧接的内部部分在所述台的外部和内部分离,所述目标位置置于所述台的外周部的外部,所述紧接的内部部分置于所述台的外周部的内部。
2.一种用于处理基板的外周部的设备,其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物质通过使其与反应性气体接触而被去除,其特征在于,所述设备包括:
(a)台,所述台包括支撑表面,所述支撑表面用于将所述基板支撑在其上,以便使所述基板的邻近外周部的部分以所述基板的外周部从所述台突出的方式与支撑表面接触;
(b)辐射加热器,所述辐射加热器包括用于将热光局部照射到目标位置的照射器,所述目标位置在所述台支撑的所述基板的突出的外周部上;
(c)反应性气体供给装置,所述反应性气体供给装置用于将所述反应性气体供给到所述目标位置;和
(d)吸热装置,所述吸热装置至少设置在所述台的外周部处、并且不设置在中央部分处,并且用于对所述基板的所述外周部的紧接的内部部分进行吸热,或者所述吸热装置设置在所述台的整个区域内,用于对整个支撑表面进行吸热,致使从不应被去除的膜上吸热,所述膜涂覆在所述基板的外周部内部的区域上,
所述目标位置和所述紧接的内部部分在所述台的外部和内部分离,所述目标位置置于所述台的外周部的外部,所述紧接的内部部分置于所述台的外周部的内部。
3.根据权利要求2所述的用于处理基板的外周部的设备,其中所述吸热装置利用冷却器冷却所述台。
4.根据权利要求3所述的用于处理基板的外周部的设备,其中作为所述吸热装置的冷却介质室形成在所述台内,且所述冷却介质室与供给冷却介质的冷却介质供给通路和排出冷却介质的冷却介质排出通路连接。
5.根据权利要求3所述的用于处理基板的外周部的设备,其中作为所述吸热装置的冷却介质通路设置在所述台上,且所述冷却介质穿过所述冷却介质通路。
6.根据权利要求5所述的用于处理基板的外周部的设备,其中所述冷却介质通路包括多个同心环形通路,和用于将所述环形通路相互连接的连通通路。
7.根据权利要求2所述的用于处理基板的外周部的设备,其中所述吸热装置仅设置在所述台的外周部处且不设置在中央部分处,所述台在所述外周部处设有用于吸附所述基板的卡持机构且在所述中央部分处设有凹部,所述凹部相对于设置所述卡持机构的区域下陷。
8.根据权利要求2所述的用于处理基板的外周部的设备,其中所述台的支撑表面具有环形形状,所述环形形状在其中心部具有凹部。
9.根据权利要求8所述的用于处理基板的外周部的设备,其中台设置有卡持机构,所述卡持机构用于仅在所述台的外周部处吸附所述基板。
10.根据权利要求2所述的用于处理基板的外周部的设备,其中所述反应性气体供给装置包括用于将所述反应性气体喷射出到所述目标位置的喷射端口,并且所述喷射端口与距离所述照射器相比更接近所述目标位置。
11.根据权利要求10所述的用于处理基板的外周部的设备,其中:
所述照射器被设置为面对由所述台支撑的所述基板的外周部的背侧,并且
所述喷射端口被设置为面对由所述台支撑的所述基板的背侧或外端面。
12.根据权利要求2所述的用于处理基板的外周部的设备,其中所述照射器从所述支撑表面的径向向外下倾的方向将热光朝向所述目标位置照射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造