[发明专利]用于不对称半导体器件性能增强的方法和设备有效
| 申请号： | 200580027261.1 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101002328A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马里乌斯·K·奥尔沃夫斯基;万司·H·亚当斯;刘春丽;布赖恩·A·温斯特德 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/76;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 不对称 半导体器件 性能 增强 方法 设备 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580027261.1/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
