[发明专利]图案化并排列半导体纳米粒子

权利要求书

1.一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：

a)排列多个第一半导体纳米粒子；

b)在第一给体片材上沉积所述排列的第一半导体纳米粒子；和

c)通过使用激光照射，将至少一部分所述排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。

2.如权利要求1的方法，其中所述半导体纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。

3.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过在织构的或微孔道的表面中或其上的毛细流动的排列而实现。

4.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过在自组装单层(SAM)上模板化的排列而实现。

5.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过在织构聚合物表面上模板化的排列而实现。

6.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过排列而实现，所述排列通过在包括向列型液晶的组合物中混合，随后剪切取向所述向列型液晶而进行。

7.如权利要求1的方法，另外包括以下步骤：

d)排列第二多个第二纳米粒子；

e)将所述排列的第二纳米粒子沉积在第二给体片材上；和

f)通过使用激光照射，将至少一部分所述排列的第二纳米粒子转移到相同的受体基材。

8.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是半导体纳米粒子。

9.如权利要求8的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。

10.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。

11.如权利要求10的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。

12.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是导电的纳米粒子。

13.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是不导电的纳米粒子。

14.如权利要求1的方法，另外包括以下步骤：

d)排列第二多个第二纳米粒子；

e)将所述排列的第二纳米粒子沉积到第一给体片材上；和

f)通过使用激光照射，将至少一部分所述排列的第二纳米粒子转移到相同的受体基材。

15.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是半导体纳米粒子。

16.如权利要求15的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。

17.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。

18.如权利要求17的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。

19.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是导电的纳米粒子。

20.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是不导电的纳米粒子。

21.一种根据权利要求1的方法制造的包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件。

22.一种根据权利要求7的方法制造的包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件。

23.一种根据权利要求14的方法制造的包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件。