[发明专利]在等离子体处理系统中优化抗蚀能力的方法和装置无效
| 申请号： | 200580027666.5 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101263092A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 山口叶子;乔治·斯托亚科维奇;艾伦·米勒 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C03C25/68 | 分类号： | C03C25/68;C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 优化 能力 方法 装置 | ||
1. 一种在包括等离子体处理室的等离子体处理系统中优化基板材料抗蚀能力的方法，包括以下步骤：
使预涂气体混合物流入所述等离子体处理室，其中，所述预涂气体混合物对蚀刻剂气流混合物具有亲和力；
从所述预涂气体混合物中撞击出第一等离子体；
引入包括所述基板材料的基板；
使所述蚀刻剂气体混合物流入所述等离子体处理室；
从所述蚀刻剂气体混合物中撞击出第二等离子体；以及
利用所述第二等离子体蚀刻所述基板，
其中，所述第一等离子体在所述等离子体处理室中的一组暴露表面上形成预涂残留物，并且基本上保持所述基板材料的所述抗蚀能力。
2. 根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在所述流入预涂物步骤之前，使用无晶室清洁工艺来清洁所述等离子体处理室。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂气体混合物还包括蚀刻剂物。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述预涂残留物与所述蚀刻剂物进行化学作用，以生成钝化物。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述钝化物涂覆所述基板材料。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括光刻胶。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括BARC。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括无机材料。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括硅。
10. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括O2。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括HBr。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括Cl2。
13. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括He。
14. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括N2。
15. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括Ar。
16. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括CF4。
17. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括CH2F2。
18. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括CHF3。
19. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括CHxFy，其中，x和y是整数。
20. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括SiCl4。
21. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括SF6。
22. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述预涂气体混合物包括NF3。
23. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板为半导体晶片。
24. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板为玻璃面板。
25. 一种在包括等离子体处理室的等离子体处理系统中优化基板材料抗蚀能力的方法，包括以下步骤：
使用无晶室清洁工艺清洁所述等离子体处理室；
使预涂气体混合物流入所述等离子体处理室，其中，所述预涂气体混合物对蚀刻剂气流混合物具有亲和力；
从所述预涂气体混合物中撞击出第一等离子体；
引入包括所述基板材料的基板；
使所述蚀刻剂气体混合物流入所述等离子体处理室；
从所述蚀刻剂气体混合物中撞击出第二等离子体；以及
利用所述第二等离子体蚀刻所述基板，
其中，所述第一等离子体在所述等离子体处理室中的一组暴露表面上形成钝化物，并且基本上保持所述基板材料的所述抗蚀能力。
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