[发明专利]具有可变电阻特性的存储装置的控制

说明书

技术领域

本发明大致关于存储装置，更详而言之，是有关于控制用于擦除与编程(programming)的存储装置的电阻特性。[programming字面意义为编制程式，事实上时对存储写入信息，一般简称为编程]相关申请的参考文献

本案为2004年9月28日申请、发明名称为“CONTROL OF MEMORY DEVICES POSSESSING VARIABLE RESISTANCE CHARACTERISTICS”之美国专利申请案第10/951,375号之连续案。此申请案之整体内容引用于此作为参考。

背景技术

计算机与电子装置之容量、使用性、以及复杂度正持续地增加。由于新的与改良过的电子装置正持续地发展(例如数字音乐拨放器(digital audio player)、影像拨放器(video player))，因此计算机变得更为强大。此外，数字媒体(例如数字声音(audio)、影像(video)、图像(image)等)之成长与使用更进一步地推动这些装置之发展。此成长与发展已经大大地增加了所期望/需要储存与保存(maintain)于计算机与电子装置之信息量。

通常将信息储存与保存于许多类型之储存装置中之一个或多个内。储存装置包括长期储存媒体(long term storage medium)，例如硬盘机、光驱与相对应媒体、DVD光驱(digital video disk drives)等。长期储存媒体典型地以较便宜的成本来储存较大量的信息，但是速度比其它类型的储存媒体来的慢。储存装置亦包括(通常但并非总是)短期储存媒体(short term storage medium)。存储装置倾向于较长期储存媒体的速度快了许多。此种存储装置包括如动态随机存取存储(dynamic random access memory；DRAM)、静态随机存取存储(static random access memory；SRAM)、双资料率存储(double data rate memory；DDR)、闪存(flash memory)、只读存储(read only memory；ROM)等。存储装置可再细分成挥发(volatile)与非挥发(non-volatile)类型。挥发性存储装置通常在失去电源时丧失其信息，且典型地需要定期的更新周期(refresh cycle)以保存其信息。挥发性存储装置包括如随机存取存储(random access memory；RAM)、DRAM、SRAM等。非挥发性存储装置不论是否有电源供应均能保存其信息。非挥发性存储装置包括(但不限于)ROM、可程序化只读存储(programmable read only memory；PROM)、可擦除可程序化只读存储(erasable programmable read only memory；EPROM)、闪存等。挥发性存储装置通常以较非挥发性存储装置为便宜的成本而提供较快的操作。

存储装置通常包括存储单元阵列。可将信息存取(access)或读取(read)、写入(write)、擦除(erase)于每一个存储单元。存储单元以关闭(off)或打开(on)的状态(限于两个状态)将信息保存，也可称为“0”与“1”。存储装置典型地撷取特定数量的字节(例如每个字节8个存储单元)。对于挥发性存储装置而言，该存储单元必须定期地更新以保持其状态。此种存储装置通常从可执行这些不同的功能且可切换(switch)与保持此两个状态之半导体装置制成。该装置通常以无机固态技术(inorganic solid state technolgy)制成，例如晶硅(crystalline silicon)装置。金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor；MOSFET)是一种普遍使用于存储装置之半导体装置。

可携式计算机与电子装置之使用对于非挥发性存储装置的需求已快速地增加。数字相机、数字音乐拨放器、个人数字助理(personal digital assistant；PDA)等均试图使用大容量之非挥发性存储装置(如闪存、SM记忆卡(smart media)、CF记忆卡(compact flash)等)。