[发明专利]以等离子体增强化学气相沉积制造具低应力的低K值介电质的低温工艺无效
| 申请号： | 200580034047.9 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101065834A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 任康树;黄李丽华;弗朗西马尔·施米特;夏立群 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 制造 应力 值介电质 低温 工艺 | ||
1.一种沉积碳掺杂氧化硅薄膜的方法，其包含：
使一含硅前驱物与一含碳前驱物在等离子体存在下混合，以沉积成一碳掺杂氧化硅层，其应力为20MPa或更低；
其中，当沉积时，所述的碳掺杂氧化硅层包含一致孔剂，且该方法更包含：
以热退火处理该刚沉积的碳掺杂氧化硅层以释出该致孔剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该混合步骤在压力2-10Torr下进行。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该混合步骤在晶圆与面板间距300-1000mils的情形下进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该等离子体是通过施用200-1500W的RF功率来维持。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该混合步骤在温度低于300℃下进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该致孔剂包含一直链状的有机分子。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该致孔剂包含一环状有机分子。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该热退火处理包含对该刚沉积的碳掺杂氧化硅层施用一热能。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该热退火处理包含对所述刚沉积的该碳掺杂氧化硅层施用一电子束。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该刚沉积的碳掺杂氧化硅层的介电常数在施用电子束后为3.0或更低。
11.一种介电膜，其包含：
一碳掺杂氧化硅膜，其应力为20MPa或更低，其中所述膜包含多个因释出致孔剂而产生的纳米孔隙，该致孔剂是在等离子体存在下与含硅前驱物和含碳前驱物一并被沉积在所述膜中。
12.根据权利要求11所述的介电膜，其特征在于，该介电膜的介电常数K值为3或更低。
13.一种互连金属化结构，其包含：
一第一金属层；
一碳掺杂氧化硅层，其覆盖在该第一金属层之上，该碳掺杂氧化硅层的应力为20MPa或更低，包含因释出致孔剂而产生的多个纳米孔隙，该致孔剂是在等离子体存在下与含硅前驱物和含碳前驱物一并被沉积在所述膜中；以及
一第二金属层，其覆盖在该碳掺杂氧化硅层上。
14.根据权利要求13所述的互连金属化结构，其特征在于，该第一及第二金属层至少其中之一选自包括铜及铝所构成的组中。
15.根据权利要求13所述的互连金属化结构，其特征在于，该碳掺杂氧化硅层的介电常数K值为3或更低。
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