[发明专利]用于微型面镜装置的撑柱

权利要求书

1.一种微型面镜装置，包括一掺杂半导体撑柱(102)，其中所述撑柱不被入射光照射，所述撑柱是扭转撑柱，由第一部件(102a)和第二部件(102b)构成；第一部件(102a)是支柱的延伸，从两个支柱彼此相向水平地延伸开来并逐渐竖直弯起至镜面的中心附近，并分别与水平的第二部件(102b)的两侧相连接，第二部件(102b)直接连接于微型镜面的相对于衬底的表面。

2.根据权利要求1的微型面镜装置，所述的半导体是从一组包含元素半导体和III-V族化合物半导体中选择的。

3.根据权利要求2所述的微型面镜装置，所述的半导体的源是从蓝宝石硅衬底和绝缘体上硅衬底之中选择的。

4.根据权利要求3所述的微型面镜装置，杂质是从一组包含III族元素，IV族元素，V族元素和VII族元素中选取并引入所述半导体的。

5.根据权利要求4所述的微型面镜装置，所述的杂质是从一组包含离子注入，恒源扩散，有限源扩散，两步扩散，衬底自动掺杂，衬底外扩散中选取的方法引入的。

6.根据权利要求5所述的微型面镜装置，所述杂质的源的类型是从一组包含固体，液体和气体中选取的。

7.根据权利要求6所述的微型面镜装置，所述杂质的源是从一组包含磷硅酸盐玻璃，硼硅玻璃，硼磷硅玻璃，砷硅玻璃，锑硅玻璃，乙硼烷，磷化氢，三氧化硼，硼酸三甲酯，氮化硼，三溴化硼，五氧化磷，磷酸铵，二磷酸铵，氯氧化磷，三氧化砷，三氧化锑，五氯化锑，硅烷，氯化硅烷和三氢化锑之中选取的。

8.根据权利要求7所述的微型面镜装置，所述的半导体是从一组包含炉退火，激光退火，快速热退火，灯退火和电导加热退火中选取的一种方法退火的。

9.根据权利要求8所述的微型面镜装置，所述的微型面镜是从一组包含自组装，晶片绑定和单片集成电路制作之中选取的方法来组装的。

10.根据权利要求9所述的微型面镜装置，是用于投影显示的。

11.根据权利要求1所述的微型面镜装置，所述半导体是从一组包含非晶硅，多晶硅和单晶硅之中选取的。

12.根据权利要求11所述的微型面镜装置，所述半导体的源是从蓝宝石硅衬底和绝缘体上硅衬底之中选择的。

13.根据权利要求12所述的微型面镜装置，撑柱中的一种杂质是从一组包含III族元素，IV族元素，V族元素和VII组元素中选取并引入所述半导体的。

14.根据权利要求13所述的微型面镜装置，所述的杂质是从一组包含离子注入，恒源扩散，有限源扩散，两步扩散，衬底自动掺杂，衬底外扩散中选取的方法引入的。

15.根据权利要求14所述的微型面镜装置，所述杂质的源的类型是从一组包含固体，液体和气体中选取的。

16.根据权利要求15所述的微型面镜装置，所述杂质的源是从一组包含磷硅酸盐玻璃，硼硅玻璃，硼磷硅玻璃，砷硅玻璃，锑硅玻璃，乙硼烷，磷化氢，三氧化硼，硼酸三甲酯，氮化硼，三溴化硼，五氧化磷，磷酸铵，二磷酸铵，氯氧化磷，三氧化砷，三氧化锑，五氯化锑，硅烷，氯化硅烷和三氢化锑之中选取的。

17.根据权利要求16所述的微型面镜装置，所述半导体是用从一组包含炉退火，激光退火，快速热退火，灯退火和电导加热退火中选取的方法退火的.

18.根据权利要求17所述的微型面镜装置，微型面镜是用从一组包含自组装，晶片绑定和单片集成电路制作中选取的方法组装的。

19.根据权利要求18所述的微型面镜装置，是用于投影显示。