[发明专利]光信息记录介质及其制作方法无效
申请号: | 200580035557.8 | 申请日: | 2005-10-18 |
公开(公告)号: | CN101076859A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 今井隆;宇佐美由久;片山和俊 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 及其 制作方法 | ||
1、一种光信息记录介质,具备:第1基板;在第1基板上按顺序形成的底层、色素记录层和反射层;以及在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板,其中,第1基板具有0.1~0.6μm的磁道间距以及20~200nm的沟槽深度的预刻沟槽。
2、根据权利要求1中所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。
3、根据权利要求1或权利要求2所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有含Nb的氧化物和/或Ta的氧化物的复合氧化物。
4、根据权利要求1~3任一项中所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-SiO2、或者Ta2O5-Al2O3。
5、根据权利要求1~4任一项中所述的光信息记录介质,其中,还含有设置在第2基板和粘接层之间的追加的色素记录层。
6、根据权利要求1~5任一项中所述的光信息记录介质,其中,底层的厚度为1~200nm。
7、根据权利要求1~5任一项中所述的光信息记录介质,其中,底层的厚度为10~40nm。
8、一种光信息记录介质的制作方法,该方法包括以下两步:
在第1基板上按顺序形成底层、色素记录层和反射层;
在该反射层上通过粘接层将第2基板粘接;
其中,第1基板具有预刻沟槽,预刻沟槽的磁道间距为0.1~0.6μm,且沟槽深度为20~200nm。
9、根据权利要求8中所述的光信息记录介质的制作方法,其中,上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。
10、根据权利要求8中所述的光信息记录介质的制作方法,其中,上述底层中含有Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-SiO2或者Ta2O5-Al2O3。
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