[发明专利]光信息记录介质及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200580035557.8 申请日: 2005-10-18
公开(公告)号: CN101076859A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 今井隆;宇佐美由久;片山和俊 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 信息 记录 介质 及其 制作方法
【权利要求书】:

1、一种光信息记录介质,具备:第1基板;在第1基板上按顺序形成的底层、色素记录层和反射层;以及在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板,其中,第1基板具有0.1~0.6μm的磁道间距以及20~200nm的沟槽深度的预刻沟槽。

2、根据权利要求1中所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。

3、根据权利要求1或权利要求2所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有含Nb的氧化物和/或Ta的氧化物的复合氧化物。

4、根据权利要求1~3任一项中所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-SiO2、或者Ta2O5-Al2O3

5、根据权利要求1~4任一项中所述的光信息记录介质,其中,还含有设置在第2基板和粘接层之间的追加的色素记录层。

6、根据权利要求1~5任一项中所述的光信息记录介质,其中,底层的厚度为1~200nm。

7、根据权利要求1~5任一项中所述的光信息记录介质,其中,底层的厚度为10~40nm。

8、一种光信息记录介质的制作方法,该方法包括以下两步:

在第1基板上按顺序形成底层、色素记录层和反射层;

在该反射层上通过粘接层将第2基板粘接;

其中,第1基板具有预刻沟槽,预刻沟槽的磁道间距为0.1~0.6μm,且沟槽深度为20~200nm。

9、根据权利要求8中所述的光信息记录介质的制作方法,其中,上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。

10、根据权利要求8中所述的光信息记录介质的制作方法,其中,上述底层中含有Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-SiO2或者Ta2O5-Al2O3

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