[发明专利]光信息记录介质及其制作方法

权利要求书

1、一种光信息记录介质，具备：第1基板；在第1基板上按顺序形成的底层、色素记录层和反射层；以及在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板，其中，第1基板具有0.1～0.6μm的磁道间距以及20～200nm的沟槽深度的预刻沟槽。

2、根据权利要求1中所述的光信息记录介质，其中，上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。

3、根据权利要求1或权利要求2所述的光信息记录介质，其中，上述底层中含有含Nb的氧化物和/或Ta的氧化物的复合氧化物。

4、根据权利要求1～3任一项中所述的光信息记录介质，其中，上述底层中含有Nb₂O₅-SiO₂、Nb₂O₅-Al₂O₃、Nb₂O₅-Ta₂O₅、Ta₂O₅-SiO₂、或者Ta₂O₅-Al₂O₃。

5、根据权利要求1～4任一项中所述的光信息记录介质，其中，还含有设置在第2基板和粘接层之间的追加的色素记录层。

6、根据权利要求1～5任一项中所述的光信息记录介质，其中，底层的厚度为1～200nm。

7、根据权利要求1～5任一项中所述的光信息记录介质，其中，底层的厚度为10～40nm。

8、一种光信息记录介质的制作方法，该方法包括以下两步：

在第1基板上按顺序形成底层、色素记录层和反射层；

在该反射层上通过粘接层将第2基板粘接；

其中，第1基板具有预刻沟槽，预刻沟槽的磁道间距为0.1～0.6μm，且沟槽深度为20～200nm。

9、根据权利要求8中所述的光信息记录介质的制作方法，其中，上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。

10、根据权利要求8中所述的光信息记录介质的制作方法，其中，上述底层中含有Nb₂O₅-SiO₂、Nb₂O₅-Al₂O₃、Nb₂O₅-Ta₂O₅、Ta₂O₅-SiO₂或者Ta₂O₅-Al₂O₃。