[发明专利]使用相变材料对瞬时热负荷进行热电冷却和/或适度控制

权利要求书

1.一种设备，其包括：

光电子装置；

热电冷却器，其热耦合到所述光电子装置以至少部分界定从所述光电子装置开始的热传递路径；和

相变材料，其安置在所述热传递路径中以经历从其第一相位到第二相位的转变，且借此吸收由所述热传递路径传递的热量。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述光电子装置可瞬时操作，且其中所述相变材料经历所述转变吸收由所述光电子装置在所述瞬时操作的同时放出的热量的大部分。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述热电冷却器可操作以将由所述光电子装置放出的热量传递到所述相变材料。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述热电冷却器可操作以从所述相变材料传递热量。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述热电冷却器可操作以从所述相变材料传递热量，且借此促使所述相变材料从其所述第二相位转变到其所述第一相位。

6.根据权利要求5所述的设备，其中在所述光电子装置的瞬时操作之前或预期所述光电子装置的瞬时操作而执行所述第二相位到第一相位的转变。

7.根据权利要求5所述的设备，其中在所述光电子装置的瞬时操作之后执行所述第二相位到第一相位的转变，借此使所述相变材料的先前的第一相位到第二相位的转变颠倒，所述第一相位到第二相位的转变颠倒曾吸收在所述瞬时操作的同时在所述热电冷却器上传递的热量。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述热电冷却器可瞬时操作，且其中所述相变材料的转变吸收在所述瞬时操作的同时在所述热电冷却器上传递的热量的大部分。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述光电子装置是传感器装置，且

其中所述热电冷却器可瞬时操作以将所述光电子装置冷却到周围温度以下。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述传感器装置包含以下各项中的一者或一者以上：

电荷耦合装置(CCD)；

互补金属氧化物半导体(CMOS)阵列。

11.根据权利要求8所述的设备，其中所述光电子装置是发射装置，且

其中在所述热电冷却器上传递的热量包含由所述发射装置的操作放出的热量。

12.根据权利要求9所述的设备，其中所述发射装置包含以下各项中的一者或一者以上：

发光二极管(LED)；

半导体激光器。

13.根据权利要求8所述的设备，其中所述光电子装置可大体上与所述热电冷却器同步地瞬时操作。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述热电冷却器可操作以从所述相变材料传递热量，且借此使所述第一到第二相位的转变颠倒。

15.根据权利要求1所述的设备，其中所述热电冷却器热耦合在所述光电子装置与所述相变材料之间。

16.根据权利要求15所述的设备，其中基于所述相变材料的转化的潜热来大体上箝位面对所述热电冷却器的侧部的相变材料的温度。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述被箝位的温度对应于所述相变材料的第一到第二相位转变温度。

18.根据权利要求15所述的设备，其中所述光电子装置在操作期间放出在所述第一到第二相位转变中被吸收的热量的大部分。

19.根据权利要求15所述的设备，其中所述热电冷却器在操作期间传递在所述第一到第二相位转变中被吸收的热量的大部分。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述光电子装置在操作期间放出由所述热电冷却器传递的以及在所述第一到第二相位转变中被吸收的热量的大部分。

21.根据权利要求19所述的设备，其中所述光电子装置通过所述热电冷却器的操作而冷却到周围温度以下。

22.根据权利要求1所述的设备，其中所述相变材料热耦合在所述光电子装置与所述热电冷却器之间。

23.根据权利要求22所述的设备，其中在所述光电子装置的放热瞬时操作期间，基于所述相变材料的转化潜热来实质上适度控制所述光电子装置的温度。