[发明专利]由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层

权利要求书

1.一种形成低k值介电材料的方法，其包括：

在沉积室中将前体共沉积到衬底上；

前体中的至少一种包括多孔有机前体，和

前体中的至少一种包括甲硅烷氧基铝基团，

该甲硅烷氧基铝基团包括由氧原子键合在一起的硅原子和铝原子，并且

该硅原子和该铝原子还键合至多个官能团，

形成低k值介电层；

结合2-5mol％铝以增加硬度；

通过暴露于热、电子束或紫外线能量固化；和

除去共沉积后仍然连接至甲硅烷氧基铝基团上的键合部位的官能团。

2.权利要求1的方法，其中所述多个官能团包括至少一种烷氧基。

3.权利要求2的方法，其中所述至少一种烷氧基包括至少一种直链烷氧基或至少一种支链烷氧基。

4.权利要求1的方法，其中所述多个官能团包括至少一种与铝原子键合的烷氧基，至少一种与硅原子键合的烷氧基，和至少一种烷基。

5.权利要求4的方法，其中所述至少一种烷基包括直链烷基或其卤化衍生物中的至少一种，支链烷基或其卤化衍生物中的至少一种，不饱和非环状烷基或其卤化衍生物中的至少一种，不饱和环状烷基或其卤化衍生物中的至少一种，或饱和环状烷基或其卤化衍生物中的至少一种。

6.权利要求1的方法，其中所述官能团包括至少一种与铝原子键合的烷氧基，至少一种与硅原子键合的烷氧基，和至少一种胺基。

7.权利要求6的方法，其中所述前体进一步包括氧气、一氧化二氮或水中的至少一种作为氧源。

8.权利要求1的方法，其中所述多个官能团包括至少一种与铝原子键合的烷氧基，至少一种与硅原子键合的烷氧基，和至少一种芳基。

9.权利要求1的方法，其中沉积包括化学气相沉积、等离子强化化学气相沉积、原子层沉积或热沉积。

10.权利要求1的方法，其中所述前体包括二甲基二甲氧基硅烷，二乙氧基甲基硅烷或八甲基环化四硅氧烷中的至少一种。

11.权利要求1的方法，其中将前体沉积到衬底上包括形成含2-5mol％的甲硅烷氧基铝的材料。

12.权利要求1的方法，其中所述衬底包括集成电路衬底。

13.一种介电层，其包括：

含被沉积前体的，结合2-5mol％铝以增加硬度的介电材料，

前体中的至少一种包括多个甲硅烷氧基铝基团，

该甲硅烷氧基铝基团包括由氧原子键合在一起的硅原子和铝原子，并且

该硅原子和该铝原子键合至多个官能团。

14.权利要求13的介电层，其中介电材料是低k值介电材料。

15.权利要求13的介电层，其中介电材料包含2-5mol％的甲硅烷氧基铝。

16.权利要求13的介电层，其中所述多个官能团包括至少一种烷氧基。

17.权利要求16的介电层，其中所述至少一种烷氧基包括至少一种直链烷氧基或至少一种支链烷氧基。

18.权利要求13的介电层，其中所述多个官能团包括与铝原子键合的至少一种烷氧基、与硅原子键合的至少一种烷氧基、和烷基、胺基或芳基中的至少一种。

19.权利要求18的介电层，其中所述至少一种烷基包括直链烷基或其卤化衍生物中的至少一种，支链烷基或其卤化衍生物中的至少一种，不饱和非环状烷基或其卤化衍生物中的至少一种，不饱和环状烷基或其卤化衍生物中的至少一种，或饱和环状烷基或其卤化衍生物中的至少一种。

20.权利要求13的介电层，其中所述含沉积前体的介电材料被置于集成电路衬底上。

21.权利要求13的介电层，其中所述介电材料包括蚀刻终止层。

22.一种含低k值介电层的器件，其包括：

含被沉积铝硅酸盐前体的，结合2-5mol％铝以增加硬度的低k值介电层，

所述铝硅酸盐前体包括键合至多个官能团的甲硅烷氧基铝基团；和

具有在其上形成的集成电路特征的多个层。