[发明专利]废气引导装置

说明书

技术领域

本发明涉及废气引导装置的技术，尤其涉及一种能够缓解半导体 或LCD制造装置中产生的非反应副产物引起的真空排管及排气排管 内部未反应副产物沉积现象的废气引导装置。

背景技术

通常，LCD制造及半导体制造工艺大体分为制作工艺(Fabrication 工艺)和装配工艺(Assembly工艺)，制作工艺是指在各种处理腔室 (Chamber)内部对基片进行薄膜沉积后，对沉积的薄膜反复进行蚀刻， 加工出特定的式样，即指芯片(Chip)制作工艺，而装配工艺是指将通 过制作工艺制作的芯片个别分离后，与引线框进行装配，制造成品的 工艺。

此时，在基片上沉积薄膜或对基片上的薄膜进行蚀刻的工艺是高 温条件下在处理腔室内部使用硅烷(Silane)、三氢砷化(Arsine)及氯化 硼等有害气体和氢气等工业废气实现的，所以上述工艺过程中处理腔 室内部将会产生大量的各种易燃性气体和腐蚀性异物质以及含有有毒 成分的有害气体。

因此，LCD及半导体制造设备在用于使处理腔室处于真空状态的 真空泵的后端安装涤气器(Scrubber)，净化处理腔室排出的排气后排 放到大气中。

然而，其问题点是，上述处理腔室排放的排气，即未反应副产物 在与大气接触或周围温度低的情况下，将会发生固化，变成粉末状， 这些粉末将会固着于排气线路，使排气压力上升的同时，要是流入真 空泵，将会引发真空泵的故障，引起排气逆流，污染处理腔室内部的 基片。

作为这种问题的解决方案，不少人从事可在加热状态下将排气排 放至排气管路的研究。

图1是依据现有技术制作的废气引导装置的截面图，图2是依据 现有技术制作的废气引导装置的示意图。

参考图1至图2可知，以往的废气引导装置包括如下部分，即： 流入转换器10，其外部面上设有流入口，内周面上设有固定突起11； 排出转换器30，其外周面上设有基于固定突起所支撑的支撑突起，上 述流入转换器10的内周面和底端之间设有贯通于上述流入口的喷出 槽60，同时，排出转换器30被嵌于流入转换器10内，以在外周面和 流入转换器10的内周面之间形成与喷出槽60贯通的高压气体室40； 转换器盖20，它包住排出转换器30的同时，底端部与流入转换器10 的上端部相连接；加热室50，它围绕着流入转换器10及转换器盖20 设置；电热线51，它被设在上述加热室50内；温度传感器80，它用 于控制电热线51的温度。另外，还包括与加热室50的外部面保持一 定间隔，并围绕着加热室50的防烫伤盖70。

通过这些组件，当外部的排气流入到流入转换器10以后，废气引 导装置开始运转，将另外准备的氮气供应至高压气体室40。此时，设 在高压气体室40外侧的加热室50的电热线51接通电源后发热，对流 入到高压气体室40的氮气进行加热。因此，高压气体室40内将充满 加热后的高压氮气，当排气通过流入转换器10进入后，加热的高压氮 气和排气通过喷出槽60混合，最终通过排出转换器30排放到外部。

如上所述，由于将高温加热的氮气和排气进行混合，在使排气的 温度上升的情况下供应到排管，所以排管内部不会出现排气引起的颗 粒粉末生成现象。

但是，以往的这种废气引导装置是通过设在外部的温度传感器 80，对用于加热氮气的加热室50的电热线51进行控制。换句话说， 采用的是通过温度传感器80检测出电热线51的温度变化以后，再通 过另设的温度调节控制器(未图示)对接通到电热线51的电源进行控制 的技术。因此，为了进行温度调节，需要另设电路结构复杂的控制器， 导致产品的成本增加，而且存在控制器内部电路设计困难的缺点。另 外，如图2所示，由于沿着废气引导装置的外侧设置各种管线，如引 进气体所需的气体管路、接通电源所需的电源线等，因此在将废气引 导装置安装在排管之间时，存在各种管线容易被切断或折断的问题点， 进而影响机器的顺利运转。

发明内容

本发明正是为解决上述问题而提出的，本发明的目的在于提供一 种废气引导装置，在半导体或LCD制造装置的正常反应工艺以外其 他产生未反应副产物的工艺中，在直接进行反应的处理腔室和真空泵 之，或者真空泵的后续排气管线及涤气器前后端设置本装置，将真空 排管内部和排气排管内部沉积的未反应副产物予以最小化，并利用双 金属器件防止产品过热，而且便于装配和安装。