[发明专利]栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质无效
| 申请号： | 200580036152.6 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101044626A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 西田辰夫;石塚修一;藤野丰;中西敏雄;佐藤吉宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/08;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 形成 方法 半导体 装置 计算机 记录 介质 | ||
【说明书】：
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