[发明专利]钼溅射靶

权利要求书

1.一种钼溅射靶，具有细的均匀晶粒尺寸以及基本没有织构 条带和从靶中心到边缘的全厚度梯度的均匀织构，并具有至少99.5 重量％的纯度，和为了提高性能而任选地被微合金化，其中晶粒尺 寸为至少45μm，以及细的均匀平均晶粒尺寸不超过125μm。

2.如权利要求1所述的钼溅射靶，具有至少99.95重量％的纯 度。

3.如权利要求1所述的钼溅射靶，具有至少99.99重量％的纯 度。

4.如权利要求1所述的钼溅射靶，具有至少99.999重量％的 纯度。

5.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺 寸不超过100μm。

6.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺 寸不超过90μm。

7.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺 寸不超过50μm。

8.根据权利要求1的钼溅射靶，其通过加入10ppm-1000ppm 的添加元素被微合金化，其中添加元素包括选自Ta、Nb、Cr、W、 V和它们的组合中的一种或多种金属材料。

9.根据权利要求1或8的钼溅射靶，具有选自管状、圆形、 方形和矩形的形状。

10.根据权利要求1或8的溅射靶，包括具有均匀织构的钼， 其中110取向平行于纵向，111取向相对于径向。

11.一种制造根据权利要求1或8的溅射靶的方法，包括：

A)将钼粉末放在模具中，在32-40ksi的压力下压制粉末，并 在1780-2175℃温度下烧结压制块形成毛坯；

B)除去毛坯的中心形成具有内径ID₁和外径OD₁的管状毛坯；

C)加工管状毛坯形成具有内径ID和外径OD_f使得OD₁对OD_f的比为至少3∶1的加工毛坯；和

D)在815-1375℃的温度下热处理管状毛坯。

12.一种制造根据权利要求1或8的溅射靶的方法，包括：

I)将钼粉末放在模具中，在200MPa-250MPa的压力下压制粉 末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成具有直径D₀的毛坯；

II)挤压毛坯形成具有直径D₂使得D₀对D₂的比为3∶1至5∶1 的挤压毛坯；

III)在900-1300℃的温度下对挤压毛坯施加第一热处理；

IV)在870-1200℃的温度下镦锻挤压毛坯形成具有直径D_f使 得D_f对D₂的比为1.5∶1至3∶1的锻造毛坯；和

V)在1200-1400℃的温度下对锻造毛坯施加第二热处理。

13.根据权利要求11或12的方法，其中等静压地分别进行A) 或I)中的压制。

14.根据权利要求11或12的方法，其中分别在氢气中烧结A) 或I)中的粉末。

15.根据权利要求11的方法，其中C)中的加工包括在925-1260 ℃的温度下挤出管状毛坯，或旋转锻造管状毛坯。

16.根据权利要求11或12的方法，其中分别在D)或V)中 的热处理后，溅射靶完全再结晶并且无应变。

17.根据权利要求11的方法，其中溅射靶织构是均匀的，110 平行于纵向，111相对于径向。

18.根据权利要求11的方法，其中在1250-1375℃的温度下进 行D)中的热处理。

19.根据权利要求11的方法，其中在815-960℃的温度下进行 D)中的热处理。