[发明专利]半导体器件及功率放大器

权利要求书

1.一种半导体器件，在输入端子和输出端子之间并联连接有多个执 行高频信号的功率放大的放大电路，

上述放大电路包括：集电极连接到上述输出端子的双极晶体管；振荡 稳定电路，其连接在上述输入端子和该双极晶体管的基极之间，且对于低 频信号成为电阻状态，对于高频信号成为短路状态；以及镇流电路，其一 端侧连接到偏置端子且另一端侧连接在该振荡稳定电路和上述双极晶体 管的基极之间，防止上述双极晶体管的热失控，

在上述输入端子和偏置端子之间连接用于减少上述输出端子侧的高 频信号的失真的低失真化电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，通过并联连接 了电阻和电容器的RC并联电路构成上述振荡稳定电路。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述镇流电路 由在上述偏置端子和上述双极晶体管的基极之间连接的镇流电阻构成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述双极晶体 管由异质结双极晶体管构成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在彼此并联连 接的状态下，在半导体基板上整体式形成上述多个放大电路。

6.一种功率放大器，其使用上述权利要求1至5中任意一项所述的 半导体器件。