[发明专利]用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法

权利要求书

1.一种等离子体灰化方法，用于自含有包含碳、氢、 或是碳氢结合物之低k介电材料的基板移除光阻剂材料 和后蚀刻残留物，该方法包括：

以包含小于百万分之20氧和百万分之20氮的气体混 合物形成等离子体；

使该等离子体流经阻隔平板组件和于基板之上，并自 该基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、以及挥发性副产 物；

使冷却气体以与等离子体流相反之方向流经阻隔平 板组件以降低上方阻隔平板之温度。

2.如权利要求第1项之方法，其中该阻隔平板组件包 括上方阻隔平板和至少一与该上方阻隔平板分隔且平行 之额外之阻隔平板。

3.如权利要求第1项之方法，其中该等离子体包括氢 和惰性气体。

4.如权利要求第3项之方法，其中该惰性气体为氦气。

5.如权利要求第1项之方法，其中使冷却气体流动包 括同时对基板加热。

6.如权利要求第1项之方法，其中该冷却气体包括惰 性气体。

7.如权利要求第1项之方法，其中该冷却气体选自由 氦、氩、氢、和其混合物组成之群组。

8.如权利要求第2项之方法，其中该至少一与该上方 阻隔平板分隔且平行之额外之阻隔平板包含多个孔洞，该 多个孔洞分布于一中心轴周围且其密度由该中心轴向该 至少一阻隔平板之外围边缘增加。

9.如权利要求第2项之方法，其中该上方阻隔平板组 件还包含冲击平板，该冲击平板和该上方阻隔平板之中心 部位实体相连通。

10.如权利要求第1项之方法，其中自基板移除光阻 剂材料、后蚀刻残留物、以及挥发性副产物之灰化率大于 无冷却气体流入时之灰化率。

11.如权利要求第2项之方法，其中该至少一与该上 方阻隔平板分隔且平行之额外之阻隔平板组件包含多个 孔洞，该多个孔洞分布于一中心轴周围且其直径由该中心 轴向该至少一阻隔平板之外围边缘增加。

12.一种等离子体灰化方法，用于自包含碳、氢、或 是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其 中该基板包含低k介电层，该方法包括：

以包含小于百万分之20氧和百万分之20氮的气体混 合物形成等离子体，其中该等离子体包含氢和氦；

使该等离子体流入处理室，该处理室包含和该等离子 体流体连通之阻隔平板组件，其中该阻隔平板组件包含为 平面之上方阻隔平板，其固定地位于为平面之下方阻隔平 板之上，该下方阻隔平板包含多个分布于一中心轴周围之 孔洞，其中该多个孔洞之密度由该中心轴向该下方阻隔平 板之外围边缘增加；

周期性地通过导引含氧等离子体进入该处理室以清 洁该处理室；以及

使冷却气体流动于该上方阻隔平板之中心冲击区域 及其周围以冷却该阻隔平板组件，其中使该冷却气体流过 该阻隔平板组件之流动方向与等离子体流之方向相反。

13.如权利要求第12项之方法，其中该冷却气体包含 惰性气体。

14.如权利要求第12项之方法，其中该冷却气体选自 由氦、氩、氢、和其混合物组成之群组。