[发明专利]图案化有机材料以同时形成绝缘体和半导体的方法以及由此制成的器件

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：

形成用于形成固化态的半导体材料的前体材料层；和

在光照和环境氧存在下加热所述前体，在暴露于光的区域形成绝缘体，而在未暴露于光的区域形成半导体。

2.权利要求1的方法，其中所述加热步骤包括使所述前体材料暴露于可见光区、紫外光区、红外光区或至少两个所述区的组合的光照。

3.权利要求2的方法，其中所述光包括强度0.1mW/cm²至1W/cm²的白光。

4.权利要求1的方法，其中所述加热步骤包括用激光器使所述前体材料同时暴露于光和热。

5.权利要求1的方法，其中所述加热前体的步骤包括将所述前体加热至150摄氏度以上。

6.权利要求1的方法，其中所述加热前体的步骤包括在氧存在下加热所述前体，以在暴露于光的区域形成氧化物。

7.权利要求1的方法，其中所述前体包括并五苯前体或并苯前体。

8.权利要求7的方法，其中所述并五苯前体在光照和环境氧的存在下被图案化从而形成并五苯的氧化物，不需要沉积附加的光致抗蚀剂和不需要使用活性离子蚀刻。

9.权利要求1的方法，其中所述绝缘体包括醌。

10.权利要求9的方法，其中所述醌包括6，13-并五苯醌或更大的同属材料。

11.权利要求1的方法，其中所述半导体材料包括并五苯。

12.权利要求1的方法，其中所述在光存在下加热所述前体的步骤包括用光源在所选区域同时加热和照射所述前体，接着在非光照区域加热所述前体以形成半导体。