[发明专利]腐蚀抑制剂、抑制腐蚀的传热流体和其用途

权利要求书

1.一种用于传热系统的抑制腐蚀的传热流体，其包含

腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂包含

唑化合物，和

基于硅氧烷的表面活性剂、胶态二氧化硅或其混合物中的至 少一种，

该抑制腐蚀的传热流体的电导率不大于200μS/cm或等于 200μS/cm，并且所述基于硅氧烷的表面活性剂是通式 R₃-Si-[O-Si(R)₂]_x-OSiR₃的聚硅氧烷，其中R是具有1-200个碳的烷基 或聚环氧烷共聚物，x是0-100，并且所述聚硅氧烷具有至少一个R基 团，其中该R基团是一种或多种具有2-6个碳的氧化烯的聚环氧烷共 聚物。

2.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其电导率小于10μS/cm。

3.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其中唑化合物的含量为 1ppm-5000ppm，基于抑制腐蚀的传热流体的总重量。

4.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其中基于硅氧烷的表面活 性剂的含量为0.01wt％-10wt％，基于抑制腐蚀的传热流体的总重量。

5.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其中胶态二氧化硅的含量 为不大于10,000ppm，基于抑制腐蚀的传热流体的总重量。

6.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其中唑化合物为通式(I)、 (II)、(III)或(IV)的化合物：

其中R是H或卤素，或C₁-C₂₀烷基；R′是H、C₁-C₂₀烷基、SH或SR 基团中的至少一个；X是N、C-SH或CH；Y选自N、C-R或CH基 团，R定义如上。

7.权利要求6的抑制腐蚀的传热流体，其中唑化合物是通式(I) 的化合物，其中X是N。

8.权利要求7的抑制腐蚀的传热流体，其中唑化合物是通式(I) 的化合物，其中X是N，R是H或具有1至小于10个碳的烷基。

9.权利要求6的抑制腐蚀的传热流体，其中唑化合物是苯并三 唑、甲苯并三唑、4-甲基苯并三唑、5-甲基苯并三唑、丁基苯并三唑、 巯基苯并噻唑、苯并咪唑、甲基苯并咪唑、氯甲基苯并三唑、溴甲基 苯并三唑或其组合中的至少一种。

10.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其中胶态二氧化硅的平均 粒度为1nm-200nm。

11.权利要求1的抑制腐蚀的传热流体，其还包含醇，所述醇是甲 醇、乙醇、丙醇、丁醇、糠醛、乙二醇、二甘醇、三甘醇、1，2-丙二醇、 1，3-丙二醇、二丙二醇、丁二醇、丙三醇、丙三醇的单乙基醚、丙三醇 的二甲基醚、1，2，6-己三醇、三羟甲基丙烷、甲氧基乙醇或其组合中的 至少一种。

12.权利要求11的抑制腐蚀的传热流体，其还包含水。

13.一种传热系统，其包括循环回路，该循环回路限定了抑制腐蚀 的液体传热流体的流动路径，所述抑制腐蚀的液体传热流体的电导率 小于10μS/cm，并且包含

腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂包含

唑化合物，和

基于硅氧烷的表面活性剂、胶态二氧化硅或其混合物中的至 少一种，其中所述基于硅氧烷的表面活性剂是通式 R₃-Si-[O-Si(R)₂]_x-OSiR₃的聚硅氧烷，其中R是具有1-200个碳的烷基 或聚环氧烷共聚物，x是0-100，并且所述聚硅氧烷具有至少一个R基 团，其中该R基团是一种或多种具有2-6个碳的氧化烯的聚环氧烷共 聚物。