[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，具有包括第一电极和第二电极及位于所述第 一电极和第二电极之间的发光层的发光元件、以及用于驱动所述发光 元件的场效应晶体管，其特征在于：

所述场效应晶体管的有源层包括非晶氧化物，所述非晶氧化物在 含氧气氛中被形成或在含氧气氛中被后处理以在从0℃至40℃的范围 的至少一部分中具有小于10¹⁸/cm³的电子载流子浓度，并且所述非晶 氧化物具有随电子载流子浓度的增加而增加的电子迁移率；

所述非晶氧化物至少包含In、Zn和Sn中的一种；以及

当不施加栅电压时，所述场效应晶体管在源电极和漏电极之间提 供小于10微安的电流。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光元 件和所述场效应晶体管被设置于光学透明的衬底上，从所述发光层发 射的光通过所述衬底输出；以及

所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于：所述场效应 晶体管设置在所述衬底与所述发光层之间。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光元 件和所述场效应晶体管设置在光学透明的衬底上，从所述发光层发射 的光通过所述衬底和所述非晶氧化物输出；以及

所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于：所述场效应 晶体管设置在所述衬底和所述发光层之间。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述场效应 晶体管的漏电极和第二电极中的至少一个由光学透明导电氧化物形 成；以及

所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光元 件是电致发光元件；

所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga；以及

所述非晶氧化物在X射线衍射光谱中展示出光晕图案而不展示出 特征衍射线。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：多个所述发 光元件至少被设置在一行上；以及

所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于：设置所述发 光元件，使所述发光元件与所述场效应晶体管相邻。

10.一种电子照相装置，具有

感光器，

为该感光器供电的供电器，

曝光光源，用于曝光该感光器以在该感光器上形成潜像，以及

用于显影该潜像的显影单元；

其特征在于：

所述曝光光源具有如权利要求8所述的发光器件。

11.一种发光器件，具有包括第一电极和第二电极及位于第一电 极和第二电极之间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的场 效应晶体管，其特征在于：

所述场效应晶体管的有源层包括使得能够实现正常截止状态的 透明非晶氧化物半导体，所述透明非晶氧化物半导体在含氧气氛中被 形成或在含氧气氛中被后处理以在从0℃至40℃的范围的至少一部分 中具有小于10¹⁸/cm³的电子载流子浓度，并且所述透明非晶氧化物半 导体具有随电子载流子浓度的增加而增加的电子迁移率；

所述透明非晶氧化物半导体至少包含In、Zn和Sn中的一种； 以及

当不施加栅电压时，所述场效应晶体管在源电极和漏电极之间提 供小于10微安的电流。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于：所述透明 非晶氧化物半导体具有对于实现正常截止状态是充分小的、小于 10¹⁸/cm³的电子载流子浓度；以及

所述透明非晶氧化物半导体在X射线衍射光谱中展示出光晕图案 而不展示出特征衍射线。