[发明专利]绝热CMOS设计

权利要求书

1.一种CMOS模块，连接在第一基准或电源线(Vdd)和第二基准线(Vss)之间，第一晶体管(54)存在于所述模块和所述第一基准线(Vdd)之间，以及第二晶体管(52)存在于所述模块和所述第二基准线(Vss)之间，其中，将第一电容性装置(C26)设置为与所述第一晶体管(54)并联，以及将第二电容性装置(C25)设置为与所述第二晶体管(52)并联，使得在使用时，所述第一晶体管(54)和所述第二晶体管(52)作为相应的第一电流源和第二电流源(I1、I2)操作。

2.根据权利要求1所述的CMOS模块，其中，所述第一和第二电容性装置(C26、C25)包括相应的沟槽电容器(56、58)。

3.根据权利要求1所述的CMOS模块，其中，所述第一和第二电容性装置(C25、C26)包括芯片外电容器。

4.根据权利要求1所述的CMOS模块，包括电荷泵，用于将在所述第一和第二电容性装置(C25、C26)中存储的电荷导引到电源装置中。

5.根据权利要求4所述的CMOS模块，其中，所述电荷泵被配置成将电荷从所述电源装置导引到所述第一和第二电容性装置(C25、C26)中。

6.一种制作CMOS模块的方法，所述方法包括：

将CMOS电路设置在衬底上；

经由设置为与第一和第二基准线(Vss、Vdd)串联的相应晶体管(52、54)，将所述CMOS电路连接在第一基准或电源线(Vdd)和第二基准线(Vss)之间；以及

设置第一电容性装置(C26)与所述第一晶体管(54)并联，并且设置第二电容性装置(C25)与所述第二晶体管(52)相连，使得在使用时，所述第一晶体管和所述第二晶体管(52、54)作为相应的第一电流源和第二电流源(I1、I2)操作。

7.一种集成电路，包括彼此串联的多个CMOS电路(10)，所述CMOS电路(10)连接在第一基准或电源线(Vdd)和第二基准线(Vss)之间，将第一晶体管(54)设置在所述CMOS电路(10)的至少一个和所述第一基准线(Vdd)之间，以及将第二晶体管(52)设置在所述CMOS电路(10)的至少一个和所述第二基准线(Vss)之间，其中，将第一电容性装置(C26)设置为与所述第一晶体管(54)并联，以及将第二电容性装置(C25)设置为与所述第二晶体管(52)并联，使得在使用时，所述第一晶体管和所述第二晶体管(52、54)作为相应的第一电流源和第二电流源(I1、I2)操作。

8.根据权利要求7所述的集成电路，包括电源装置(Vs)和电荷泵，所述电荷泵用于将在所述第一和第二电容性装置(C25、C26)中存储的电荷导引到所述电源装置。

9.根据权利要求8所述的集成电路，包括与所述电源装置串联的等效去耦电容性装置(Cssdd，或通过C25和C26的串联电路形成的等效物)，所述电荷泵通过所述等效去耦电容性装置来导引所述电荷。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述等效去耦电容性装置包括一个或更多相对较大的沟槽电容器。

11.一种制作集成电路的方法，所述方法包括：

在衬底中形成多个CMOS电路(10)；

将所述CMOS电路(10)彼此串联，并且将每一个电路(10)连接在第一基准或电源线(Vdd)和第二基准线(Vss)之间；

将第一晶体管(54)设置在所述电路(10)的至少一个和所述第一基准线(Vdd)之间，以及将第二晶体管(52)设置在所述电路(10)的至少一个和所述第二基准线(Vss)之间；以及

将第一电容性装置(C26)设置为与所述第一晶体管(54)并联，并且将第二电容性装置(C25)设置为与所述第二晶体管(52)并联，使得在使用时，所述第一晶体管和所述第二晶体管(52、54)作为相应的第一电流源和第二电流源(I1、I2)操作。