[发明专利]羰基官能化的噻吩化合物和相关的器件结构

权利要求书

1.一种下式的半导体化合物

其中，R¹、R²和R³独立地选自H、烷基、经氟取代的烷基、杂环、芳基和经氟取代的芳基，所述烷基和经氟取代的烷基为约C₂-约C₁₀；每个所述x独立地是约0-约8的整数；z是选自0和大于0的整数的整数，其中，x、y和z中的至少一个选自2和大于2的整数。

2.如权利要求1所述的化合物，其中，每个所述x和z是0，y是约4-约8的整数。

3.如权利要求1所述的化合物，其中，R¹选自烷基、全氟烷基、苯基和全氟苯基。

4.如权利要求3所述的化合物，其中，每个所述x和z是0，y是约4-约8的整数。

5.如权利要求4所述的化合物，所述化合物选自

6.如权利要求1所述的化合物，所述组合物结合到电子器件的半导体元件中。

7.如权利要求6所述的化合物，其中，所述元件包括一种组合物，所述组合物含有至少一种所述化合物和提高所述化合物在溶剂中溶解度的聚合物中的。

8.如权利要求4所述的化合物，所述化合物选自

9.一种下式的半导体化合物

其中，R¹选自H、烷基、经氟取代的杂环烷基、芳基和经氟取代的芳基，所述烷基和经氟取代的烷基为约C₂-约C₁₀；每个所述x独立地是约0-约4的整数；y和y’是独立地选自1和大于1的整数的整数；z是选自0和大于0的整数的整数；每个所述v是独立地选自1和2的整数；每个所述w是独立地选自0和1的整数，其中，所述x和z中的至少一个是1，y和y’中的至少一个是1，并且所述v和所述w中的至少一个是1。

10.如权利要求9所述的化合物，其中，R¹选自烷基和经氟取代的烷基、苯基和经氟取代的苯基。

11.如权利要求10所述的化合物，其中，每个所述x是1，y是1，z和y’是0，每个所述w是1和每个所述v是1。

12.如权利要求11所述的化合物，其中，R’选自烷基和全氟烷基。

13.如权利要求12所述的化合物，其中，R’选自己基和全氟己基。

14.如权利要求9所述的化合物，其中，R¹是经氟取代的苯基，所述化合物如下式

其中，每个所述x、y，每个所述w和每个所述v是1；z和y’是0，R’选自H和F。

15.如权利要求14所述的化合物，其中，R’是F。

16.一种下式的半导体化合物

其中，R¹、R²和R³独立地选自H、烷基、经氟取代的烷基、杂环、芳基和经氟取代的芳基，所述烷基和经氟取代的烷基为约C₂-约C₁₀；每个所述Ar是独立地选自苯基、全氟苯基、二酰基苯基、二酰基全氟苯基和苯硫基的芳基；每个所述x是独立地选自0-约4的整数；y和y’是独立地选自0-约4的整数；z是选自0-约8的整数；a是0-约4的整数，其中，所述x、z和a中的至少一个选自2和大于2的整数；每个所述w是选自0和1的整数。

17.如权利要求16所述的化合物，其中，R¹选自H、烷基、全氟烷基、苯基和全氟苯基，每个所述w是1；每个所述x选自2-约4，y、y’、z和a是0。

18.如权利要求17所述的化合物，其中，R¹选自苯基和全氟苯基。

19.如权利要求18所述的化合物，所述化合物与一种提高所述化合物的溶剂溶解度的聚合物共混。

20.如权利要求19所述的化合物，其中，所述经共混的组合物被结合到电子器件的半导体元件中。