[发明专利]高电压/高电流熔断器无效
申请号: | 200580038803.5 | 申请日: | 2005-09-15 |
公开(公告)号: | CN101138062A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 埃得温·詹姆士·哈里斯;杰弗里·约翰·里博迪;威廉·P.·布朗;约翰·亚当奇克;道格拉斯·费希尔;格雷戈里·斯顿谱 | 申请(专利权)人: | 力特保险丝有限公司 |
主分类号: | H01H73/22 | 分类号: | H01H73/22;H01H39/00;H01H85/00;H01H71/20;H01H85/04;H01H71/10;H01H71/08;H01H85/02;H01H85/20;H01H85/22;H01H85/48;H01H85/143;H01H85/165;H01H85 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 电流 熔断器 | ||
1.熔断器,包括:
绝缘体;
由绝缘体保持的熔丝元件组件,熔丝元件组件包括
绝缘衬底;
布置在衬底两侧上并延伸穿过衬底中的孔的熔丝元件,熔丝元件包括被构造和安排成基于熔丝断开事件断开的区域,熔丝元件延伸到衬底的第一和第二端;
在衬底的第一和第二端电连接到熔丝元件的第一和第二端子;及
放在绝缘体内并接触至少一部分熔丝元件的电弧猝熄材料。
2.根据权利要求1的熔断器,其中绝缘衬底由选自下组的材料制成:FR-4、环氧树脂、陶瓷、涂覆树脂的箔、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、玻璃、三聚氰胺及其任意组合。
3.根据权利要求1的熔断器,其包括连接到绝缘体的顶部,顶部和绝缘体由适于经选自下组的方法连接的材料制成:声波焊接、溶剂粘合、黏接及其任意组合。
4.根据权利要求1的熔断器,其中电弧猝熄材料包括沙子。
5.根据权利要求1的熔断器,其中熔丝元件经选自下组的方法固定到衬底:光刻和黏接。
6.根据权利要求1的熔断器,其中熔丝元件包括至少一散热件部分,散热件部分包括扩大的导电材料区域。
7.根据权利要求1的熔断器,其中熔丝元件由选自下组的至少一导电材料制成:铜、银、镍、锡、铅、锌和铝。
8.根据权利要求1的熔断器,其中被构造和安排成基于熔丝断开事件断开的熔丝元件区域包括减小的厚度、减小的截面积尺寸或同时包括二者。
9.根据权利要求1的熔断器,其中被构造和安排成基于熔丝断开事件断开的熔丝元件区域包括第一和第二导电材料,第二导电材料具有比第一导电材料低的熔化温度。
10.根据权利要求9的熔断器,其中第二导电材料包括锡。
11.根据权利要求1的熔断器,其中绝缘体和衬底包括至少一对配对的紧固孔。
12.根据权利要求11的熔断器,其中第一和第二端子中至少其一包括至少一紧固孔,其被构造和安排成与绝缘体和衬底中的配对紧固孔对准。
13.根据权利要求1的熔断器,其中第一和第二端子被构造和安排成支持组件经受压力的能力。
14.根据权利要求1的熔断器,其中第一和第二端子中至少其一包括与衬底中的安装孔紧密配合的安装孔。
15.根据权利要求14的熔断器,其中熔丝元件延伸穿过衬底中的安装孔。
16.根据权利要求14的熔断器,其中熔丝元件关于衬底两侧上的安装孔布置。
17.根据权利要求1的熔断器,其中第一和第二端子中至少其一被偏压以从衬底断开。
18.根据权利要求1的熔断器,其中至少一端子被折叠在衬底端部之一的两侧上。
19.根据权利要求1的熔断器,其中至少一端子包括紧靠绝缘体的内表面的凸缘。
20.根据权利要求1的熔断器,其包括连接到绝缘体的顶部,顶部被构造和安排成压缩绝缘体内的组件。
21.根据权利要求1的熔断器,其中绝缘体包括至少一被构造和安排成定位绝缘体内的组件的凸起。
22.根据权利要求21的熔断器,其中凸起关于绝缘体中的紧固孔定位。
23.根据权利要求1的熔断器,其中熔丝元件位于衬底的两侧上。
24.根据权利要求1的熔断器,其中熔丝元件关于衬底的两侧对称。
25.根据权利要求1的熔断器,其中衬底是第一衬底,且其包括第二衬底,第一和第二衬底将至少一部分熔丝元件夹在二者之间。
26.根据权利要求1的熔断器,其中熔丝元件从衬底的第一和第二端向内延伸到衬底中的孔,熔丝元件形成穿过孔的延伸。
27.根据权利要求26的熔断器,其中熔丝元件位于衬底的各侧上,在衬底的第一侧上的熔丝元件经穿过孔的延伸电连接到衬底的第二侧上的熔丝元件。
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