[发明专利]印花转印刻蚀

权利要求书

1.一种在软刻蚀技术中制造微结构的方法，包括：

用UV射线通过掩模照射含硅弹性体的表面的露出部分来选择性活 化所述露出部分，同时用所述掩模覆盖所述表面的被保护部分；

其中在照射中，使所述露出部分与含有氧的气氛接触，并且使 所述掩模与所述被保护部分接触；

从所述含硅弹性体的表面去除所述掩模；

使所述含硅弹性体的表面与基底接触；以及

使所述活化部分与基底结合，使得所述活化部分和与所述活化部分 接触的那部分基底不可逆地连接。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模包括在所述表面的被 保护部分上的硬质掩模。

3.如权利要求1所述的方法，其中

所述掩模包括具有UV-不透明部和UV-透明部的图案并具有在所述 UV-不透明部下的间隔材料的无支撑掩模；以及

所述表面的露出部分在所述UV-透明部之下并与其分开。

4.如权利要求1所述的方法，其中在照射中与所述露出部分接触 的气氛富含分子氧。

5.如权利要求1所述的方法，其中在照射中与所述露出部分接触 的气氛富含臭氧。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述结合包括加热所述含硅弹 性体和所述基底。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅弹性体的表面是平面 的。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅弹性体的表面包括隆 起区和下降区的图案。

9.如权利要求1所述的方法，还包括使所述含硅弹性体与所述基 底分离。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述基底和所述表面的活化部 分保持接触。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述含硅弹性体和与所述表面 的活化部分接触的所述基底部分保持接触。

12.如权利要求1所述的方法，其中

所述含硅弹性体的表面未图案化；

所述掩模包括具有UV-不透明部和UV-透明部的图案并具有在所述 UV-不透明部下的间隔材料的无支撑掩模；以及

所述表面的露出部分在所述UV-透明部之下并与其分开；

所述方法还包括使所述含硅弹性体与所述基底分离，使得所述基底 和所述表面的活化部分保持接触。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述分离包括在所述含硅弹性 体内诱导内聚破坏。

14.如权利要求12所述的方法，其中在分离之后，含硅弹性体层与 所述表面的活化部分保持连接。

15.如权利要求14所述的方法，还包括通过调节照射时间来控制所 述层的厚度。

16.如权利要求12所述的方法，其中在分离之后，在所述基底上所 述表面的活化部分的最小特征尺寸小于1微米。

17.如权利要求1所述的方法，其中

所述含硅弹性体的表面包括隆起区和下降区的图案；

所述掩模包括具有UV-不透明部和UV-透明部的图案并具有在所述 UV-不透明部下的间隔材料的无支撑掩模；以及

所述表面的隆起区的露出部分在所述UV-透明部之下并与其分开；

所述方法还包括使所述含硅弹性体与所述基底分离，使得所述基底 和所述隆起区的活化部分保持接触。

18.如权利要求17所述的方法，还包括形成所述包括隆起区和下降 区的图案的含硅弹性体。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述分离包括在所述含硅弹性 体内诱导内聚破坏。