[发明专利]低温SiN沉积方法

权利要求书

1.一种用于在处理区内的衬底上沉积包含硅和氮的层的方法，包括：

将含硅前驱物导入到所述处理区中；

排出所述处理区中包括所述含硅前驱物的气体，同时均匀地逐渐降低所述处理区的压力；

将含氮前驱物导入到所述处理区中；以及

排出所述处理区中包括所述含氮前驱物的气体，同时均匀逐渐降低所述处理区的压力。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括维持衬底支架在400℃到650℃的温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理区的所述压力为0.2到10Torr。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在每个排气步骤期间压力降低相对于时间的斜率基本为常数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述排气步骤期间所述压力降低相对于时间的所述斜率基本相同。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于导入所述含硅前驱物的时间周期和用于导入所述含氮前驱物的时间周期为1到5秒。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于排出所述处理区中包括所述含硅前驱物和所述含氮前驱物的气体的时间周期为2到20秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在导入所述含硅前驱物时所述处理区中的压力为0.2到10Torr，以及在导入所述含氮前驱物时所述处理区中的压力为0.2到10Torr。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在导入所述含硅前驱物之前所述处理区中的压力为0.2Torr，以及在导入所述含氮前驱物之前所述处理区中的压力为0.2Torr。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮前驱物选自包含氨、三甲胺、叔丁胺、二烯丙基胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、丙烯胺和环丙胺的组。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，含硅前驱物选自包括乙硅烷、硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷和双(叔丁胺)硅烷的组。

12.一种用于在处理区内的衬底上沉积包括硅和氮的层的方法，其特征在于，包括：

预热含硅前驱物和含氮前驱物；

将含硅前驱物导入至所述处理区中；

排出在所述处理区中包括所述含硅前驱物的气体，同时均匀逐渐降低所述处理区的压力；

导入含氮前驱物至所述处理区内；以及

排出在所述处理区中包括所述含氮前驱物的气体同时均匀逐渐降低所述处理区的压力。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于，将所述含硅前驱物和所述含氮前驱物预热至100到250℃。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述排气步骤期间通过控制导入至所述处理区的清洗气体量以及通过控制连接所述处理区的排气阀降低所述处理区的压力。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述含氮前驱物选自包括氨、三甲胺、叔丁胺、二烯丙基胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、丙烯胺和环丙胺的组以及所述含硅前驱物选自包括乙硅烷、硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷和双(叔丁胺)硅烷的组。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述处理区中的所述衬底支架维持在400到650℃的温度。

17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述处理区的压力为0.2到10Torr。

18.一种用于在处理区中在衬底上沉积包括硅和氮的层的方法，其特征在于，包括：

将含硅前驱物导入至所述处理区中；

排出所述处理区中包括所述含硅前驱物的气体，同时降低所述处理区的压力从而压力降低相对于时间的斜率基本为常数；

将含氮前驱物导入至所述处理区中；以及

排出在所述处理区中包括所述含氮前驱物的气体，同时降低所述处理区的压力从而压力降低相对于时间的斜率基本为常数。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，用于导入所述含硅和含氮前驱物的时间周期为1-5秒，以及用于排出包括所述含氮和含硅前驱物的时间周期为2-20秒。

20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述处理区的压力为0.2到10Torr。