[发明专利]加热元件及检测温度变化的方法

权利要求书

1.一种加热元件，包括一个借助电流产生热量的层、一个加热表面和一个位于二者之间的电介质，其特征在于，所述电介质至少包括一个第一介电层和一个第二介电层，在二者之间设置有一个导电层，其中在几乎相同的温度下所述第一介电层的电阻高于所述第二介电层的电阻，并且所述第一介电层与所述第二介电层相比更靠近所述加热表面。

2.如权利要求1所述的加热元件，其特征在于，所述借助电流产生热量的层包括如此形成的电阻迹线：相邻迹线具有一个高电位和一个低电位。

3.如权利要求1或2所述的加热元件，其特征在于，一个安培表直接电耦联到所述导电层。

4.如权利要求1所述的加热元件，其特征在于，一个电压表直接电耦联到所述导电层。

5.如权利要求1所述的加热元件，其特征在于，所述第一和/或第二介电层由搪瓷合成物制成。

6.如权利要求5所述的加热元件，其特征在于，所述第一介电层搪瓷合成物的碱金属含量低于所述第二介电层的碱金属含量。

7.如权利要求5所述的加热元件，其特征在于，至少所述第一和第二介电层的锂和/或钠和/或钾的含量彼此不同。

8.如权利要求5所述的加热元件，其特征在于，所述第一介电层实际上不含有锂和/或钠离子。

9.如权利要求5所述的加热元件，其特征在于，所述第一和第二介电层的碱金属含量彼此不同。

10.如权利要求5所述的加热元件，其特征在于，所述各层的搪瓷合成物选择为：其组合物的击穿电压高于1250V AC。

11.如权利要求1所述的加热元件，其特征在于，制成所述加热表面的材料的膨胀系数与所述第一介电层的膨胀系数的差值介于20％至45％之间。 

12.如权利要求1所述的加热元件，其特征在于，所述第二介电层的膨胀系数相对于所述第一介电层的膨胀系数的差值不大于25％。

13.在如前述权利要求中任一项所述的加热元件中作为第一介电层的搪瓷合成物的使用，所述搪瓷合成物包括质量百分比为0-10％的V₂O₅、质量百分比为0-10％的PbO、质量百分比为5-13％的B₂O₃、质量百分比为33-53％的SiO₂、质量百分比为5-15％的Al₂O₃和质量百分比为20-30％的CaO。

14.一种液体容器，设置有如权利要求1-12中任一项所述的加热元件。

15.一种用于检测如权利要求1-12中任一项所述的由电阻形成的加热元件中温度变化的方法，包括：测量由第一介电层产生的泄漏电流和/或测量加热表面(2)上的电势。

16.如权利要求15所述的方法，其中测量温度的增加，温度增加是由于水垢层的积聚而产生。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述温度增加使得通过所述加热元件的电阻的电路中断。

18.如权利要求15所述的方法，其中除了对泄漏电流的测量之外还包括对导电层(4)的电阻测量。

19.如权利要求18所述的方法，其中具有NTC和/或PTC特性的传感器层设置在所述加热元件中的第一介电层和第二介电层之间。