[发明专利]使用含硅密封剂制造发光装置的方法

权利要求书

1.一种发光装置的制造方法，该方法包括以下步骤：

提供发光二极管；以及

形成与该发光二极管相接触的密封剂，其中该密封剂的形成过程包括：

使所述的发光二极管与包含含硅树脂和含金属催化剂的光致聚合型组合物相接触，其中所述的含硅树脂包含与硅键合的氢和脂肪族不饱和官能团；和

施加波长为小于或等于700nm的光化辐射来引发所述含硅树脂内的硅氢化反应。

2.权利要求1所述的方法，其中所述的与硅键合的氢和所述的脂肪族不饱和官能团存在于相同的分子中。

3.权利要求1所述的方法，其中所述的与硅键合的氢和所述的脂肪族不饱和官能团存在于不同的分子中。

4.权利要求1所述的方法，其中所述的硅氢化反应在少于10分钟内发生。

5.权利要求1所述的方法，其中施加光化辐射的过程包括激活所述的含金属催化剂。

6.权利要求1所述的方法，其中施加光化辐射的过程包括在低于60℃的温度下施加光化辐射。

7.权利要求1所述的方法，其中所述的含金属催化剂选自β-二酮铂(II)络合物、(η⁵-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物、以及C_7-20-芳香族取代的(η⁵-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物。

8.权利要求1所述的方法，其中所述光化辐射的波长为250nm到500nm。

9.权利要求1所述的方法，其中所述密封剂的折射率为至少1.50。

10.权利要求1所述的方法，其中所述光致聚合型组合物包含有机硅氧烷。

11.权利要求1所述的方法，其中所述光致聚合型材料包含具有下式所示单元的有机硅氧烷：

R¹_aR²_bSiO_(4-a-b)/2

其中：

R¹为未被取代或取代的直链、支链或环状的一价烃基，其不含脂肪族不饱和官能团并具有1到18个碳原子；

R²为具有脂肪族不饱和官能团并具有2到10个碳原子的一价烃基；

a为0、1、2或3；

b为0、1、2或3；并且

a+b的和为0、1、2或3；

条件是每个分子中平均具有至少1个R²。

12.权利要求1所述的方法，其中所述光致聚合型材料包含具有下式所示单元的有机硅氧烷：

R¹_aH_cSiO_(4-a-c)/2

其中：

R¹为未被取代或取代的直链、支链或环状的一价烃基，其不含脂肪族不饱和官能团并具有1到18个碳原子；

a为0、1、2或3；

c为0、1或2；并且

a+c的和为0、1、2或3；

条件是每个分子中平均具有至少1个与硅键合的氢。

13.权利要求1所述的方法，其中所述光致聚合型材料包含选自非吸收性金属氧化物颗粒、半导体颗粒、荧光粉、增敏剂、抗氧化剂、颜料、光引发剂、以及催化剂抑制剂中的一种或多种添加剂。

14.一种使用权利要求1所述方法制造的发光装置。