[发明专利]通过测量阻抗监控等离子体处理系统中处理的方法和装置

权利要求书

1.一种用于在具有等离子体处理室的等离子体处理系统中原位监控处理的方法，包括：

在所述等离子体处理室中定位衬底；

在将所述衬底设置在所述等离子体处理室中的同时，在所述等离子体处理室中撞击等离子体；

获得在撞击所述等离子体之后存在的测量阻抗，所述测量阻抗值具有当所述等离子体不存在时的第一值以及当所述等离子体存在时的不同于所述第一值的至少一个第二值；

如果所述测量阻抗值在预定阻抗值包络之外，则使所述测量阻抗值与所述处理的属性相关。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在特定RF频率处执行所述获得所述测量阻抗值。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特定的RF频率大约为2MHz。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特定的RF频率大约为27MHz。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特定的RF频率大约为13.56MHz。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述等离子体处理系统包括具有V/I探针的RF发生器，使用所述V/I探针执行所述获得所述测量阻抗值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述测量阻抗值表示相位角测量的值。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述测量阻抗值表示振幅测量的值。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定阻抗值包络包括阻抗控制下限。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述阻抗控制下限在预定阻抗目标值的3σ的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定阻抗值包络包括阻抗控制上限。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述阻抗控制上限在预定阻抗目标值的3σ的范围内。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定阻抗值包络包括阻抗控制下限和阻抗控制上限。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是半导体晶片。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是玻璃板。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的所述属性表示蚀刻所述衬底时的蚀刻速率。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的所述属性表示蚀刻所述衬底时的选择性速率。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的所述属性表示蚀刻所述衬底时的蚀刻均一性测量。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是电容耦合等离子体处理系统。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是电感耦合等离子体处理系统。

21.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是大气等离子体处理系统。

22.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是频率调谐耦合等离子体处理系统。

23.一种用于在具有等离子体处理室的等离子体处理系统中原位监控处理的装置，包括；

在所述等离子体处理室中定位衬底的装置；

在将所述衬底设置在所述等离子体处理室中的同时在所述等离子体处理室中撞击等离子体的装置；

用于获得在撞击所述等离子体之后存在的测量阻抗的装置，所述测量阻抗值具有当所述等离子体不存在时的第一值以及当所述等离子体存在时的不同于所述第一值的至少一个第二值；

如果所述测量阻抗值在预定阻抗值包络之外，使所述测量阻抗值与所述处理的属性相关的装置。

24.根据权利要求23所述的装置，其中，在特定RF频率处执行所述获得所述测量阻抗值。

25.根据权利要求24所述的装置，其中，所述特定RF频率大约为2MHz。

26.根据权利要求24所述的装置，其中，所述特定RF频率大约为27MHz。

27.根据权利要求24所述的装置，其中，所述特定RF频率大约为13.56MHz。