[发明专利]测量自偏压来监控等离子体处理系统中处理的方法和装置有效
| 申请号： | 200580039762.1 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101088147A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·J·吉尼;拉奥·安纳普拉加达;苏布哈什·德希穆克;程家成 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/306;H01L21/00;G01L21/30;B44C1/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 偏压 监控 等离子体 处理 系统 方法 装置 | ||
1.一种用于在具有等离子体处理室的等离子体处理系统中原位 监控处理的蚀刻速率的方法，包括：
在所述等离子体处理室中定位衬底；
在将所述衬底设置在所述等离子体处理室中的同时，在 所述等离子体处理室中撞击等离子体；
测量所述衬底和所述等离子体之间的自偏压；以及
如果所述测量自偏压值在预定自偏压值包络之外，则使 所述测量自偏压值与所述处理的蚀刻速率相关。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在特定RF频率处生成所 述等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特定RF频率为2 MHZ。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特定RF频率为27 MHz。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述特定RF频率为13. 56MHz。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统包 括V/I探针，以及使用所述V/I探针测量所述测量自偏压值。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述测量自偏压值表示相 位角测量的值。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述测量自偏压值表示振 幅测量的值。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定自偏压值包络包 括自偏压控制下限。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述自偏压控制下限在预 定自偏压目标值的3σ的范围内。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定自偏压值包络包 括自偏压控制上限。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述自偏压控制上限在 预定自偏压目标值的3σ的范围内。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定自偏压值包络包 括自偏压控制下限和自偏压控制上限。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是半导体晶片。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是玻璃板。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是 电容耦合等离子体处理系统。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是 电感耦合等离子体处理系统。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是 大气等离子体处理系统。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统是 频率调谐耦合等离子体处理系统。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580039762.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于驱动包括在其上安装的刷毛的膜刷头的液压系统
- 下一篇：基板表面处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
