[发明专利]适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺

权利要求书

1. 一种使样品上的至少一根纳米线退火的方法，该方法包括：用激光通量小于约100mJ/cm²的激光器，来照射所述样品上的至少一根纳米线的多个部分。

2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述照射包括：沿所述至少一根纳米线的整个长度进行照射。

3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器包括脉冲激光器。

4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述脉冲激光器包括准分子激光器。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述脉冲激光器包括Nd:YLF(钕:钇锂氟化物)激光器或Nd:YAG(钕:钇铝石榴石)激光器。

6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器具有介于约2-18mJ/cm²之间的激光通量。

7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器具有介于约6-14mJ/cm²之间的激光通量。

8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器具有小于约16mJ/cm²的激光通量。

9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器发射基本上不被所述样品吸收波长的光线。

10. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器发射可见光范围中的光。

11. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述激光器发射波长大于约500纳米的光。

12. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一根纳米线的所述多个部分包括掺杂的源极区域和漏极区域。

13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述至少一根纳米线的所述多个部分还包括一个或多个栅极区域。

14. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在制造半导体器件过程中，所述退火被用作掺杂剂激活工艺的一部分。

15. 如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括晶体管、二极管或电阻器。

16. 如权利要求1所述的方法，包括：在所述照射之前，利用等离子体浸没式离子注入将掺杂剂离子注入到所述至少一根纳米线中。

17. 如权利要求1所述的方法，还包括：用至少一个第二激光器来照射所述至少一根纳米线的所述多个部分。

18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二激光器包括Ar激光器。

19. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一激光器引起所述纳米线的半导体材料的成核，而所述第二激光器维持所述纳米线的温度以便使所述半导体材料的晶体生长得以继续。

20. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一根纳米线包含在沉积于所述样品上的纳米线薄膜中。

21. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样品包括塑料基板。

22. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样品包括柔性基板。

23. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样品对退火激光基本上透明。

24. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一根纳米线包括芯以及环绕着芯所设置的至少一层壳层。

25. 如权利要求24所述的方法，其特征在于，所述至少一层壳层包括天然的氧化层或沉积的氧化物层。

26. 如权利要求24所述的方法，其特征在于，去除在源极和漏极触点区域中的所述至少一层壳层的多个部分，直到露出所述至少一根纳米线的芯。

27. 一种使样品上的至少一根纳米线退火的方法，该方法包括：向所述至少一根纳米线的多个区域发射激光束，以使所述多个区域退火，所述激光束具有可见光范围中的波长。

28. 如权利要求27所述的方法，还包括：以脉冲方式发射所述激光束。