[发明专利]氮化物半导体LED及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光二极管，包含：

衬底；

形成在所述衬底上的缓冲层；

形成在所述缓冲层上的In-掺杂的GaN层；

形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；

形成在所述第一电极层上的In_xGa_1-xN层；

形成在所述In_xGa_1-xN层上的有源层；

形成在所述有源层上的第一P-GaN层；

形成在所述第一P-GaN层上的第二电极层；

部分突出在所述第二电极层上的第二P-GaN层；和

形成在所述第二P-GaN层上的第三电极层。

2.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中利用AlInN/GaN分层结构、InGaN/GaN超晶格结构、In_xGa_1-xN/GaN分层结构和Al_xIn_yGa_1-(x+y)N/In_xGa_1-xN/GaN分层结构中的所选其一来形成所述缓冲层。

3.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一电极层是硅和铟共掺杂的GaN层。

4.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中在所述In_xGa_1-xN层之下和之上还分别形成第一SiN_x簇层和第二SiN_x簇层。

5.根据权利要求4的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一和第二SiN_x簇层形成为具有原子尺度的厚度。

6.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述有源层具有单量子阱结构或由In_yGa_1-yN阱层/In_zGa_1-zN势垒层构成的多量子阱结构。

7.根据权利要求5的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所述有源层的所述阱层和所述势垒层之间形成SiN_x簇层。

8.根据权利要求6的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所述有源层的所述In_yGa_1-yN阱层和所述In_zGa_1-zN势垒层之间形成SiN_x簇层。

9.根据权利要求6的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所述有源层的所述In_yGa_1-yN阱层和所述In_zGa_1-zN势垒层之间形成GaN覆盖层。

10.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中还在所述有源层和所述第一P-GaN层之间形成SiN_x簇层。

11.根据权利要求7的氮化物半导体发光二极管，其中所述SiN_x簇层形成为具有原子尺度的厚度。

12.根据权利要求8的氮化物半导体发光二极管，其中所述SiN_x簇层形成为具有原子尺度的厚度。

13.根据权利要求10的氮化物半导体发光二极管，其中所述SiN_x簇层形成为具有原子尺度的厚度。

14.根据权利要求6的氮化物半导体发光二极管，其中掺杂到所述In_yGa_1-yN阱层/所述In_zGa_1-zN势垒层的铟含量和掺杂到所述In_xGa_1-xN层中的铟含量分别具有0＜x＜0.1、0＜y＜0.35和0＜z＜0.1的值。

15.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一P-GaN层具有掺杂在其中的镁(Mg)。