[发明专利]在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法和系统

权利要求书

1.一种在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法，所述方法包括：

利用输出泵调节电路，该输出泵调节电路具有编程路径的复制，为存储单元编程提供调节的编程电压，所述调节的编程电压校准编程路径压降，并不受温度变化的影响。

2.如权利要求1所述的方法，其中编程路径的复制进一步包括利用与被编程的一个存储单元耦合的单编程路径匹配的路径设备。

3.如权利要求1所述的方法，其中利用所述输出泵调节电路进一步包括利用所述输出泵调节电路提供电荷泵的闭环调节。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括利用具有所述编程路径复制的串联调节器。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括利用具有所述编程路径复制的编程路径匹配电流源。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括在所述存储单元编程过程中，利用具有所述串联调节器的分布式调节器得到本地单元漏极电压。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述存储单元编程进一步包括快闪存储单元编程。

8.一种在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的系统，所述系统包括：

多个存储单元；

经由多个编程路径与所述多个存储单元耦合的输出泵调节电路，所述输出泵调节电路包括编程路径复制，并为所述多个存储单元提供调节的编程电压，其中所述调节的编程电压校准编程路径压降并不受温度变化的影响。

9.如权利要求8所述的系统，其中所述编程路径复制进一步包括与被编程的一个存储单元耦合的单编程路径匹配的路径设备。

10.如权利要求8所述的系统，其中所述输出泵调节电路进一步提供电荷泵的闭环调节。

11.如权利要求8所述的系统，其中所述输出泵调节电路进一步包括与所述编程路径复制耦合的串联调节器。

12.如权利要求8所述的系统，进一步包括与所述编程路径复制耦合的编程路径匹配电流源。

13.如权利要求12所述的系统，进一步包括分布式调节器，其与所述串联调节器耦合，以在所述存储单元编程过程中得到本地单元漏极电压。

14.如权利要求8所述的系统，其中所述多个存储单元进一步包括快闪存储单元。

15.在多层存储设备编程过程中调节编程电压的方法，所述方法包括：

复制在电荷泵调节电路中单存储单元编程路径的编程路径设备；并且

经由所述电荷泵调节电路，调节编程电压，其中所述编程电压成功地提供目标编程电压。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包括利用具有所述复制编程路径设备的串联调节器。

17.如权利要求16所述的方法，进一步包括利用具有所述复制的编程路径设备的编程路径匹配电流源。

18.如权利要求17所述的方法，进一步包括利用具有所述串联调节器的分布式调节器，获得每个存储单元编程路径的本地单元漏极电压。