[发明专利]半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置无效
申请号: | 200580040367.5 | 申请日: | 2005-11-25 |
公开(公告)号: | CN101076884A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 曾川祯道;山崎隆雄;高桥信明 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李晓冬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 线路板 半导体 封装 电子 装置 | ||
1.一种包括半导体芯片的半导体器件,所述半导体芯片在表面上具有端子焊盘,在所述端子焊盘上方提供有阻挡金属层;其中,所述阻挡金属层具有由导电材料组成的基相和多个低弹性颗粒,所述多个低弹性颗粒分散在所述基相中,并且具有比所述基相的弹性模量低的弹性模量。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括由导电材料组成的并且提供在所述端子焊盘和所述阻挡金属层之间的粘接增强层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述粘接增强层是由与形成所述基相的导电材料相同的导电材料形成的。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括由导电材料组成的并且提供在所述阻挡金属层上方的脱离防止层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述脱离防止层是由与形成所述基相的导电材料相同的导电材料形成的。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中
所述阻挡金属层中低弹性颗粒的含量比例沿所述阻挡金属层的膜厚度方向连续变化;并且
所述阻挡金属层的底层和顶层中低弹性颗粒的含量比例小于所述底层和顶层之间的中间部分中低弹性颗粒的含量比例。
7.根据权利要求1至6中的任何一个所述的半导体器件,其中,形成所述基相的导电材料是包含选自由Ni、Cu、Fe、Co和Pd组成的组中的一种或多种金属的金属或合金。
8.根据权利要求1至6中的任何一个所述的半导体器件,其中,形成所述基相的导电材料是NiP。
9.根据权利要求1至6中的任何一个所述的半导体器件,其中,所述低弹性颗粒是由选自由硅树脂、氟树脂、丙烯酸树脂、腈树脂和聚氨酯树脂组成的组中的一种、两种或更多种树脂形成的。
10.一种包括线路板主体的线路板,所述线路板主体在表面上具有端子焊盘,在所述端子焊盘上方提供有阻挡金属层;其中,所述阻挡金属层具有由导电材料组成的基相和多个低弹性颗粒,所述多个低弹性颗粒分散在所述基相中并且由具有比所述基相的弹性模量低的弹性模量的材料组成。
11.根据权利要求10所述的线路板,还包括由导电材料组成的并且提供在所述端子焊盘和所述阻挡金属层之间的粘接增强层。
12.根据权利要求11所述的线路板,其中,所述粘接增强层是由与形成所述基相的导电材料相同的导电材料形成的。
13.根据权利要求10所述的线路板,还包括由导电材料组成的并且提供在所述阻挡金属层上方的脱离防止层。
14.根据权利要求13所述的线路板,其中,所述脱离防止层是由与形成所述基相的导电材料相同的导电材料形成的。
15.根据权利要求10所述的线路板,其中
所述阻挡金属层中低弹性颗粒的含量比例沿所述阻挡金属层的膜厚度方向连续变化;并且
所述阻挡金属层的底层和顶层中低弹性颗粒的含量比例小于所述底层和顶层之间的中间部分中低弹性颗粒的含量比例。
16.根据权利要求10至15中的任何一个所述的线路板,其中,形成所述基相的导电材料是包含选自由Ni、Cu、Fe、Co和Pd组成的组中的一种或多种金属的金属或合金。
17.根据权利要求10至15中的任何一个所述的所述的线路板,其中,形成所述基相的导电材料是NiP。
18.根据权利要求10至15中的任何一个所述的线路板,其中,所述低弹性颗粒是由选自由硅树脂、氟树脂、丙烯酸树脂、腈树脂和聚氨酯树脂组成的组中的一种、两种或更多种树脂形成的。
19.一种半导体封装件,包括:
线路板;
安装在所述线路板上的半导体器件;和
用于将所述半导体器件的端子焊盘键合到所述线路板的端子焊盘的焊块;
其中,所述半导体器件是根据权利要求1所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造