[发明专利]芘类化合物和使用了其的发光晶体管元件无效

专利信息
申请号: 200580040407.6 申请日: 2005-11-25
公开(公告)号: CN101080376A 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 小山田崇人;内生藏广幸;安达千波矢;秋山诚治;高桥隆由 申请(专利权)人: 日本先锋公司;株式会社日立制作所;三菱化学株式会社;罗姆股份有限公司
主分类号: C07C15/38 分类号: C07C15/38;C07C15/62;C07C25/22;C07D333/18;C09K11/06;H01L51/50;C07C22/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 化合物 使用 发光 晶体管 元件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及成为发光晶体管元件的发光层的主要构成成分的芘类化合物和使用了该化合物的发光晶体管元件。

背景技术

作为有机半导体装置的典型例的有机场致发光元件(以下简称为“有机EL元件”),是利用了发光现象的发光元件,所述发光现象伴随由有机荧光体构成的层中的电子和空穴的复合。具体地说,在专利文献1、专利文献2等中记载了包含由上述有机化合物构成的发光层、向该发光层注入电子的电子注入电极和向上述发光层注入空穴的空穴注入电极的有机EL元件。

作为在该发光层中使用的有机荧光体,可以举出ベリノン衍生物、二苯乙烯基苯衍生物等(专利文献1)、1,3,6,8-四苯基芘等(专利文献2)等。

另一方面,作为利用了与由有机荧光体构成的层中的电子和空穴的复合相伴随的发光现象的例子,除了上述有机EL元件以外,已知有发光晶体管元件。考虑在该发光晶体管元件中利用用于上述有机EL元件的有机荧光体。

专利文献1:特开平5-315078号公报

专利文献2:特开2001-118682号公报

但是,包括上述芘类化合物的各化合物是为用于有机EL元件而进行分子设计的,由于将阻碍分子间相互作用的取代基引入到芘中,因此无定形性高的化合物非常多。

但是,在作为发光晶体管元件使用时,需要进行分子设计以使发光和迁移率两种特性良好。

发明内容

因此,本发明的目的在于,提供在作为发光晶体管元件使用时发光和迁移率两种特性良好的芘类化合物、以及使用了该特定的芘类化合物的发光晶体管元件。

本发明通过使用由下述化学式(1)组成的芘类化合物作为发光晶体管元件的发光层的主要构成成分,解决了上述课题。

[化2]

(式(1)中,R1表示从可以具有取代基的杂芳基、可以具有取代基的芳基(但不包括不具有取代基的苯基)、可以具有取代基的主链碳数为1~20的烷基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的甲硅烷基和具有卤素原子的基团中选取的基团)。

使用上述的芘类化合物作为发光层的主要构成成分,含有向该发光层注入空穴的空穴注入电极、向上述发光层注入电子的电子注入电极以及与上述空穴注入电极和电子注入电极相对、控制上述发光层内的载体的分布的栅电极,由此可以构成发光晶体管元件,所述发光层是可以输送作为载体的空穴和电子,并且利用空穴和电子的复合而产生发光的发光层。

根据该发明,由于使用具有对称性的特定的芘类化合物,结晶性提高,能够提高制得的发光晶体管元件的发光和迁移率这两种特性。

附图说明

图1(a)为表示芘类化合物例子的化学式。

图1(b)为表示芘类化合物例子的化学式。

图1(c)为表示芘类化合物例子的化学式。

图2(a)为表示芘类化合物例子的化学式。

图2(b)为表示芘类化合物例子的化学式。

图2(c)为表示芘类化合物例子的化学式。

图2(d)为表示芘类化合物例子的化学式。

图3(a)为表示芘类化合物例子的化学式。

图3(b)为表示芘类化合物例子的化学式。

图4(a)为表示芘类化合物例子的化学式。

图4(b)为表示芘类化合物例子的化学式。

图5为表示本发明所涉及的发光晶体管元件的例子的截面图。

图6为表示源电极和漏电极的构成的平面图。

图7(a)(b)(c)为表示发光晶体管元件的发光机理的示意图。

图8为表示使用了本发明所涉及的发光晶体管元件的显示装置的例子的电机电路图。

符号说明

1:发光层

2:源电极

2a:梳齿形状部

3:漏电极

3a:梳齿形状部

4:栅电极

5:绝缘膜

10:发光晶体管元件

11:空穴沟道

12:夹断点

20:基板

21:显示装置

22:扫描线驱动装置

23:数据线驱动装置

24:控制器

S:源电极

D:漏电极

G:栅电极

C:电容器

Ts:选择晶体管

P11、P12:像素

LS1、LS2:扫描线

LD1、LD2:数据线

具体实施方式

以下对本发明进行详细说明。

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