[发明专利]具有掺杂层的有机发光二极管有效

专利信息
申请号: 200580040830.6 申请日: 2005-11-24
公开(公告)号: CN101138106A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 克里斯托夫·费里;萨尔瓦托·赛恩;贝努瓦·拉赛恩 申请(专利权)人: 汤姆森特许公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 具有 掺杂 有机 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管,包括:

基板(1);

在与该基板相同侧的第一种类的下电极(2)和在与该基板相反侧的第二种类的上电极(8),所述电极种类对应于阳极和阴极;

有机发射电致发光层(5),其置于该下电极(2)和该上电极(8)之间;

以及与所述电极之一接触的由掺杂有机材料制成的至少一个层(3;7),该层置于该电极和所述电致发光层之间,如果与其接触的所述电极为阴极则所述有机材料被掺杂以施主掺杂剂,和/或如果与其接触的所述电极为阳极则被掺杂以受主掺杂剂;

其特征在于,至少一个掺杂有机层(3)的掺杂水平在该有机层和与该层接触的该电极(2)之间的界面处比在该掺杂有机层(3)的核心中高。

2.如权利要求1所述的二极管,其特征在于,如果所述接触电极是阴极,则所述施主掺杂剂能够增大所述掺杂材料的LUMO能级附近的电子能级密度,如果所述接触电极是阳极,则所述受主掺杂剂能够增大所述掺杂材料的HOMO能级附近的空穴能级密度。

3.如权利要求1或2所述的二极管,其特征在于,如果所述掺杂有机层(3)的材料中的掺杂剂浓度在该层的与其接触的所述电极相反的边界处为零或几乎为零,则该层中具有零或几乎为零的浓度的片的厚度严格低于具有非零掺杂剂浓度的片的厚度。

4.如前述权利要求中的任一项所述的二极管,其特征在于,如果所述接触电极是阴极,则一方面该施主掺杂剂的HOMO能级能量或电离势与另一方面所述有机材料的LUMO能级能量之间的差的绝对值小于5eV,和/或如果所述接触电极是阳极,则一方面该受主掺杂剂的LUMO能级能量或电子亲合势与另一方面该有机材料的HOMO能级能量之间的差的绝对值小于5eV。

5.如权利要求4所述的二极管,其特征在于,如果与该掺杂层接触的该电极是阴极,则该施主掺杂剂的HOMO能级能量或电离势高于该掺杂层的该有机材料的LUMO能级能量,和/或如果与该掺杂层接触的该电极是阳极,则该受主掺杂剂的LUMO能级能量或电子亲合势等于或低于该掺杂层的该有机材料的HOMO能级能量。

6.如前述权利要求中的任一项所述的二极管,其特征在于,在所述界面处存在大于0.2eV的势垒。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的二极管,其特征在于,所述掺杂有机层(3)的材料的平均电导率在该层的位于该界面处并与所述电极(2)接触的至少10nm厚的片中是在距所述电极(2)超过20nm位于该掺杂有机层(3)的核心中的10nm厚的片中的至少三倍高。

8.如权利要求1至6中的任一项所述的二极管,其特征在于,所述掺杂有机层(3)的材料中的平均掺杂剂浓度在该层的位于该界面处且与所述电极(2)接触的片中是在距所述电极(2)超过10nm位于该掺杂有机层(3)的核心中的片中的至少三倍高。

9.如前述权利要求中的任一项所述的二极管,其特征在于,其包括置于至少一个掺杂有机层(3;7)和所述电致发光层(5)之间的有机阻挡层(4;6),如果所述掺杂有机层与阴极接触则其阻挡空穴,如果所述掺杂有机层与阳极接触则其阻挡电子。

10.一种包括如前述权利要求中的任一项所述的二极管的阵列的照明板或图像显示屏,其特征在于,该阵列的所述二极管由相同的基板支承。

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