[发明专利]用于为互连焊盘提供结构支撑同时允许信号传导的方法和装置有效
申请号: | 200580040951.0 | 申请日: | 2005-11-30 |
公开(公告)号: | CN101167170A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 凯文·J·埃斯;苏珊·H·唐尼;詹姆斯·W·米勒;杨俊才 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;黄启行 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 互连 提供 结构 支撑 同时 允许 信号 传导 方法 装置 | ||
1.一种用于为互连焊盘提供结构支撑的方法,所述方法包括:
提供基板;
在基板上面提供第一金属层,所述第一金属层具有多个开口;
在第一金属层上面提供第一电绝缘层;
在第一电绝缘层上面提供第二金属层,所述第二金属层具有多个开口;
在第二金属层上面提供互连焊盘,所述互连焊盘定义了互连焊盘区域;
通过针对第一金属层和第二金属层的逻辑运算创建物理版图形状;
确定X值,其是互连焊盘区域中的物理版图形状的金属密度;并且
使用X值确定第一金属层的多个开口同第二金属层的多个开口是否存在充分对准,用于充分的结构支撑。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
要求X值小于或等于预定阈值。
3.如权利要求2所述的方法,其中预定阈值包括0.85。
4.如权利要求2所述的方法,其中预定阈值包括范围0.80~0.85,含端点值。
5.如权利要求2所述的方法,其中预定阈值包括范围0.70~0.95,含端点值。
6.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在第二金属层上面提供第二电绝缘层;并且
提供在第二电绝缘层和互连焊盘之间安置的第三金属层,所述第三金属层具有多个开口。
7.如权利要求6所述的方法,其中第一电绝缘层和第二电绝缘层包括相同的材料。
8.如权利要求1所述的方法,其中第一电绝缘层包括电介质。
9.如权利要求1所述的方法,其中第一电绝缘层具有小于4的介电常数。
10.如权利要求1所述的方法,其中第一电绝缘层具有小于80千兆帕斯卡的模量值。
11.如权利要求1所述的方法,其中基本上通过第一电绝缘层填充第一金属层中的多个开口和第二金属层中的多个开口。
12.如权利要求1所述的方法,其中第一金属层和第二金属层分别具有关于第一金属层和第二金属层的各自区域的范围为20~80%的物理金属密度。
13.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
提供通过第一电绝缘层的一个或多个过孔,用于将至少一部分第一金属层电气连接到至少一部分第二金属层。
14.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
提供置于互连焊盘和第二金属层之间的钝化层。
15.如权利要求1所述的方法,其中在互连焊盘下面的基板中形成至少一个器件。
16.一种在互连焊盘区域中形成的互连焊盘结构,包括:
基板,具有在其中形成的半导体器件;和
多个传导层,每个传导层在互连焊盘区域中位于基板上面,并且同一个或多个低模量介电材料接触,多个传导层是通过互连焊盘区域的预定部分上的垂直对准开口形成的,足以提供关于互连焊盘结构的机械支撑。
17.如权利要求16所述的互连焊盘结构,进一步包括:
介电层,其位于多个传导层中的最上面的传导层上面,所述介电层包括在所述介电层区域中不具有金属密度的区域,由此没有金属穿过所述介电层的任何开口,所述区域占互连焊盘区域的至少50%;和
传导互连焊盘层,其位于所述介电层上面。
18.一种在互连焊盘区域中形成的互连焊盘结构,包括:
基板和在功能上使用所述基板的有源电路;
多个金属互连层,其位于所述基板上面,所述多个金属互连层与一个或多个低模量介电材料接触,并且通过互连焊盘区域的预定部分中的垂直对准开口形成;
最上面的金属互连层,其位于多个金属互连层上面;
绝缘层,其位于最上面的金属互连层上面,并且具有一个或多个开口,用于暴露最上面的金属互连层的第一电导体;和
传导焊盘,其在绝缘层上面形成,并且通过填充一个或多个开口连接到第一电导体,其中最上面的金属互连层的第二电导体仅通过绝缘层同传导焊盘电气隔离,并且所述第二电导体不直接连接到传导焊盘,第一电导体和第二电导体由介电材料分隔,所述介电材料具有的模量大于一个或多个低模量介电材料的模量。
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