[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制备方法

权利要求书

1、一种氮化物半导体发光器件，包括：

具有AlGaN/n-GaN或AlGaN/GaN/n-GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层为第一电极接触层；

在所述第一氮化物半导体层上形成用于发光的有源层；

在所述有源层上形成的第二氮化物半导体层；和

在所述第二氮化物半导体层上形成的第三氮化物半导体层。

2、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中提供所述第三氮化物半导体层作为n-InGaN的第二电极接触层以形成n-/p-/n-结结构。

3、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，还包括：

衬底；和

在所述衬底上形成的缓冲层，

其中所述衬底和所述缓冲层形成在所述第一氮化物半导体层下方。

4、根据权利要求3的氮化物半导体发光器件，还包括在所述缓冲层上形成的铟掺杂的氮化物半导体层。

5、根据权利要求3的氮化物半导体发光器件，其中所述缓冲层具有选自AlInN/GaN堆叠结构、InGaN/GaN超晶格结构、In_XGa_1-XN/GaN堆叠结构和Al_XIn_YGa_1-(X+Y)N/In_XGa_1-XN/GaN堆叠结构的结构。

6、根据权利要求3的氮化物半导体发光器件，其中所述第一氮化物半导体层具有比所述缓冲层生长温度更高的生长温度。

7、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述第一氮化物半导体层具有1～2μm的总厚度。

8、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中构成所述第一氮化物半导体层的AlGaN层是未掺杂层并且具有5％～30％的Al组分。

9、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述第二氮化物半导体层是p型氮化物半导体层。

10、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中构成所述第一氮化物半导体层的GaN层是未掺杂层并且形成为10～200的厚度。

11、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中构成所述第一氮化物半导体层的n-GaN层掺杂有硅、或硅和铟。

12、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中构成所述第一氮化物半导体层的n-GaN层形成为300～500的厚度。

13、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，还包括在所述第一氮化物半导体层和所述有源层之间形成并且铟含量为小于5％的低摩尔含铟氮化物层。

14、根据权利要求13的氮化物半导体发光器件，其中所述低摩尔含铟氮化物层具有螺旋形状并且厚度为100～300

15、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述有源层形成为由阱层和势垒层组成的单量子阱层或多量子阱层，并且在所述阱层和所述阻势垒层之间进一步形成SiNx簇层。

16、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述第三氮化物半导体层由具有铟含量逐渐变化的SG(超梯度)结构的n-InGaN层形成。

17、根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，还包括在所述第三氮化物半导体层上形成的透明电极。

18、根据权利要求17的氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极由选自以下的一种物质形成：ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、Ru0x/IT0、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO。