[发明专利]多层线栅偏振器

权利要求书

1.一种用于使光偏振的线栅偏振器器件，包括：

a)基底；

b)至少两个薄膜层，设置在所述基底上，所述薄膜层具有彼此不同的折射率；

c)所述两个薄膜层中的至少一个的折射率大于所述基底的折射率；以及

d)线栅层，设置在所述至少两个薄膜层之上，所述线栅层包括其长度大于所述光的波长且其周期小于所述光的半波长的细长金属基元的阵列。

2.根据权利要求1的器件，其中所述薄膜层中的一个包括介电栅，所述介电栅包括非金属基元的阵列，所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。

3.根据权利要求1的器件，还包括设置在所述线栅层之上的至少一个薄膜层；所述至少一个其它的薄膜层包括介电栅，所述介电栅包括非金属基元的阵列，所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。

4.一种用于使光偏振的线栅偏振器器件，包括：

a)具有折射率的基底；

b)至少一个薄膜层，设置在所述基底上，所述薄膜层的折射率大于所述基底的折射率；以及

c)线栅层，设置在所述至少一个薄膜层之上，所述线栅层包括其长度大于所述光的波长且其周期小于所述光的半波长的细长金属基元的阵列。

5.根据权利要求4的器件，其中所述至少一个薄膜层包括介电栅，所述介电栅包括非金属基元的阵列，所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。

6.根据权利要求4的器件，还包括设置在所述线栅层之上的至少一个其它的薄膜层；所述至少一个其它的薄膜层包括介电栅，所述介电栅包括非金属基元的阵列，所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。

7.一种用于使光偏振的线栅偏振器器件，包括：

a)基底；

b)线栅层，设置在所述基底之上，所述线栅层包括其长度大于所述光的波长且其周期小于所述光的半波长的细长金属基元的阵列；

c)介电层，设置在所述线栅层之上，所述介电层包括非金属基元的阵列；以及

d)至少一个薄膜层，设置在所述线栅层与所述介电层之间。

8.根据权利要求7的器件，还包括设置在所述基底与所述线栅层之间的至少一个薄膜层；所述至少一个薄膜层包括具有彼此不同的折射率的多个薄膜层。

9.根据权利要求7的器件，还包括在所述基底与所述栅极层之间的其折射率大于所述基底的折射率的至少一个薄膜层。

10.根据权利要求7的器件，还包括在所述基底与所述线栅层之间的包括非金属基元的阵列的介电栅，所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。

11.一种用于使光偏振的线栅偏振器器件，包括：

a)基底；

b)薄膜层的叠层，设置在所述基底之上，并跨过所述基底连续地延伸；

c)所述薄膜层中的至少一个在结构和材料上是均匀的；

d)所述薄膜层中的至少一个包括其长度大于所述光的波长且其周期小于所述光的半波长的细长金属基元的线栅阵列；以及

e)所述薄膜层中的至少一个包括非金属基元的介电阵列。

12.根据权利要求11的器件，其中所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。

13.根据权利要求11的器件，还包括设置在所述基底与所述线栅阵列之间的至少一个薄膜层；所述至少一个薄膜层包括具有彼此不同的折射率的多个薄膜层。

14.根据权利要求11的器件，其中在所述基底与所述栅极层之间的所述薄膜层中的至少一个的折射率大于所述基底的折射率。

15.根据权利要求11的器件，其中所述阵列的所述非金属和金属基元被取向为彼此基本上平行，并且所述阵列具有基本上相等的周期。