[发明专利]用于显微光刻投影曝光装置的传输光学元件和物镜

权利要求书

1.适于在显微光刻术的投影曝光装置(1)的物镜(11)中使用的传输 光学元件(33)，所述传输光学元件(33)由多晶材料(100)组成，所述多 晶材料(100)包括具有至少0.5微米和至多100微米的平均微晶尺寸的微晶 (102)。

2.根据权利要求1的传输光学元件(33)，其中所述多晶材料(100) 包括具有晶体结构的微晶(102)。

3.根据权利要求2的传输光学元件(33)，其中所述微晶(102)的所 述晶体结构是立方型。

4.根据权利要求2或3的传输光学元件(33)，其中所述平均微晶尺寸 范围从10微米到100微米。

5.根据权利要求2或3的传输光学元件(33)，其中所述平均微晶尺寸 范围从10微米到50微米。

6.根据权利要求2或3的传输光学元件(33)，其中所述平均微晶尺寸 范围从20微米到30微米。

7.根据权利要求2或3的传输光学元件(33)，其中所述平均微晶尺寸 接近25微米。

8.根据权利要求2或3的传输光学元件(33)，其中所述微晶(102) 的所述平均微晶尺寸D基本满足条件其中λ表示工作波长且n 表示折射率并且Δn表示在该工作波长下所述多晶材料(100)的双折射。

9.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中如果所述多 晶材料(100)中的孔密度范围从1到10孔/立方毫米，则平均孔尺寸范围从 0.1微米到2微米。

10.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中如果所述 多晶材料(100)中的孔密度范围从1到10孔/立方毫米，则平均孔尺寸范围 从0.5微米到1微米。

11.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述多晶 材料(100)的光学不均匀性小于0.1ppm。

12.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中对于波长 小于250nm，所述多晶材料(100)的应力双折射小于1nm/cm。

13.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中对于波长 小于250nm，所述多晶材料(100)的应力双折射小于0.5nm/cm。

14.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述多晶 材料(100)的总体杂质小于100ppm。

15.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述多晶 材料(100)的总体杂质小于70ppm。

16.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述多晶 材料(100)从包括多晶MgAl₂O₄、多晶MgO和多晶Y₃Al₅O₁₂的组中选择。

17.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述多晶 材料(100)由带有化学成分(M1)₃(M2)₅O₁₂的微晶(102)形成，其中M1是 从包括钇、镧、钆、铽、铒、钪和镥的组中选择的金属，并且M2是从包括 铝、镓、铟和铊的组中选择的金属。

18.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述多晶 材料(100)是具有MgO×mAl₂O₃化学式的混合晶体，其中m是0.9到4之 间的值。

19.根据权利要求1至3中一个的传输光学元件(33)，其中所述传输 光学元件(33)包括至少两个用多晶材料(100)制成的子元件(541，543)。

20.根据权利要求19的传输光学元件(33)，其中所述子元件(541， 543)通过光学接触、熔解焊接或低温焊接被连接。