[发明专利]群集的自动对准

说明书

技术领域

本发明一般而言涉及非易失性存储器系统的作业，且更具体而言，涉及这些存储器系统内的数据处理。 

背景技术

目前，存在许多种成功得到商业应用的非易失性存储器产品，尤其是小形状因子卡形式的非易失性存储器产品，其采用形成于一个或一个以上集成电路芯片上的快闪EEPROM(电子可擦除可编程只读存储器)单元阵列。通常(但未必尽然)在单独集成电路芯片上的存储器控制器介接以可移除方式连接有所述卡的主机，并控制存储器阵列在所述卡内的运作。此控制器通常包含微处理器、某种非易失性只读存储器(ROM)、易失性随机存取存储器(RAM)及一个或一个以上专用电路，例如一个可在编程及读取数据期间在数据经过控制器时根据数据计算出纠错码(ECC)的专用电路。某些市面出售的卡为：CompactFlash^TM(CF)卡、多媒体卡(MMC)、安全数字(SD)卡、个人标签(P-Tag)及存储棒卡。主机包含个人计算机、笔记本计算机、个人数字助理(PDA)、各种数据通信装置、数字摄像机、蜂窝式电话、可携式声讯播放器、汽车音响系统、及相似类型的设备。于某些系统中，可移除式卡不包含控制器且主机控制存储器阵列在所述卡内的运作。此类型存储器系统的实例包含智慧型媒体卡及xD卡。因此，可通过所述卡中控制器上的软件或通过主机中的控制软件来达成对存储器阵列的控制。除存储器卡实施方案外，此类型的存储器也可嵌装于各种类型的主机系统内。于可移除式及嵌入式两种应用中，可根据由存储器控制软件实施的存储方案将主机数据存储于存储器阵列中。 

有两种通用存储单元架构已付诸商业应用：NOR及NAND。于典型的NOR阵列中，存储单元连接于沿列方向延伸的毗邻位线源极与漏极扩散之间以使控制栅连接至沿单元行延伸的字线。存储单元包含定位于所述源极与漏极之间的单元通道区域至少一部分上方的至少一个存储元件。存储元件上经编程的电荷电平因此控制单元的运作特征，因而可通过将适宜的电压施加至寻址存储单元来读取所述单元。此类单元的实例、其在存储器系统中的应用及其制造方法在第5,070,032、5,095,344、5,313,421、5,315,541、5,343,063、5,661,053及6,222,762号美国专利中给出。 

NAND阵列则利用由如下构成的串联串：多于两个(例如16个或32个)存储单元与一个或一个以上在个别位线与参考电位之间的选择晶体管连接在一起以形成单元 列。字线延伸跨越大量的这种列内的单元。在编程期间，通过如下方式来读取及验证列中的个别单元：强导通所述串中的剩余单元，以使流经串的电流取决于寻址单元中所存储电荷的电平。NAND架构阵列的实例及其作为存储器系统的部分的运作可在美国专利第5,570,315、5,774,397、6,046,935及6,522,580号中找到。 

上文所提及专利中所论述的当前快闪EEPROM阵列的电荷存储元件为最常用的导电性浮栅，其通常由经导电掺杂的多晶硅材料形成。适用于快闪EEPROM系统的另一类型的存储单元利用非导电性电介材料代替导电性浮栅以便以非易失性方式来存储电荷。其中，由氧化硅、氮化硅及氧化硅(ONO)形成的三层式电介材料夹于导电性控制栅与存储单元通道上方半导电性衬底的表面之间。通过如下方式编程所述单元：将电子从单元通道注入氮化物内，电子在氮化物中被捕集并存储于有限的区域中，且所述单元是通过将热电洞注入氮化物内而被擦除。数种采用电介存储元件的特定单元结构及阵列阐述于Harari等人的第2003/0109093号美国专利公开案中。