[发明专利]电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷及采用该电介质陶瓷构成的叠层陶瓷电容器，尤其涉及一种改进，可使具备电介质陶瓷地构成的叠层陶瓷电容器上的电介质陶瓷层的更加薄层化。

背景技术

对于本发明，作为有关的电介质陶瓷，在国际公开第2004/067473号单行本(专利文献1)中，记载了一种电介质陶瓷，其用一般式：(Ba_1-h-i-mCa_hSr_iGd_m)_k(Ti_1-y-j-nZr_yHf_zMg_n)O₃表示，并且满足0.995≤k≤1.015、0≤h≤0.03、0≤i≤0.03、0.015≤m≤0.035、0≤y<0.05、0≤j<0.05、0≤(y+j)<0.05、及0.015≤n≤0.035的各种关系，由用Gd置换部分Ba并且用Mg置换部分Ti的钛酸钡系复合氧化物构成，含有主成分和添加成分，添加成分含有Ma(Ma是Ba、Sr及Ca中的至少1种)、Mb(Mb是Mn及Ni中的至少一方)及Mc(Mc是Si或Si及Ti的双方)，Ma相对于主成分100摩尔含量低于1.5摩尔(其中，不包含0摩尔。)，Mb相对于主成分100摩尔含量低于1.0摩尔(其中，不包含0摩尔。)，Mc相对于主成分100摩尔含量在0.5摩尔以上且2.0摩尔以下。

根据上述电介质陶瓷，在采用其构成叠层陶瓷电容器具备的电介质陶瓷层时，由于烧结稳定性良好，耐湿性提高，可满足按JIS标准规定的F特性及按EIA标准规定的Y5V特性，电容率在9000以上，能够在较宽的温度范围采用叠层陶瓷电容器。

此外，即使电介质陶瓷层薄层化，也能够进行薄层化的叠层陶瓷电容器的小型化及大容量化，此外也不需要降低额定电压。因此，即使将电介质陶瓷层的厚度薄层化到例如3μm，叠层陶瓷电容器也能够提供实用上足够的特性。

此外，由于该电介质陶瓷即使在中性或还原性气氛下烧成，也不半导体化，并能够提供高的比电阻，所以如果采用其构成叠层陶瓷电容器，作为内部电极所含的导电成分，能够无问题地采用贱金属，结果能够谋求降低叠层陶瓷电容器的成本。

其中，得知，在采用专利文献1所述的电介质陶瓷构成叠层陶瓷电容器的电介质陶瓷层时，如果将电介质陶瓷层的厚度薄层化到2μm以下，有时很难确保可靠性。此外，专利文献1所述的电介质陶瓷，为了使其烧结，需要1200℃左右或1200℃以上的高的烧成温度。

专利文献1：国际公开第2004/067473号单行本

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种能够解决上述问题的电介质陶瓷。

本发明的另一目的在于，提供一种采用上述的电介质陶瓷构成的叠层陶瓷电容器。

本发明的电介质陶瓷，其特征在于，为解决所述技术问题，具有用一般式：100(Ba_1-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_1-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a+pMnO₂+qSiO₂+rCuO表示的组成。

其中，所述一般式中，(Ba_1-w-x-mCa_wSr_xGd_m)_k(Ti_1-y-z-nZr_yHf_zMg_n)O_3+a是主成分，k、w、x、y、z、m、n、p、q及r，以摩尔为单位，分别在：

0.995≤k≤1.010、

0≤w<0.04、

0≤x≤0.04、

0≤y≤0.10、

0≤z≤0.05、

0.015≤m≤0.035、

0.015≤n≤0.035、

0.01≤p≤1.0、

0.5≤q≤2.5、及

0.01≤r≤5.0的范围内。a是相对于3的偏差(deviation from 3)，以所述主成分成为电中性的方式选择的值。