[发明专利]衬底保持装置、曝光装置以及器件制造方法有效
申请号: | 200580042429.6 | 申请日: | 2005-12-14 |
公开(公告)号: | CN101076877A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 涩田慎 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;徐谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 保持 装置 曝光 以及 器件 制造 方法 | ||
1.一种衬底保持装置,保持被提供液体的处理衬底,具备:
基材;
第一支承部,形成于所述基材上,支承所述处理衬底的背面;
第一周壁部,形成于所述基材上,与所述处理衬底的背面相对,且设置成连续地包围所述第一支承部;以及
第一回收口,设于所述第一周壁部的外侧;
利用沿着所述第一周壁部的气流,将所述第一周壁部的外侧的液体移动至所述第一回收口而回收。
2.根据权利要求1所述的衬底保持装置,其中,具有与所述第一回收口连接的抽吸装置,
通过由所述抽吸装置经由所述第一回收口进行抽吸,生成朝向所述第一回收口的气流。
3.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,所述第一周壁部设置得比所述处理衬底的边缘部更靠内侧,
经由所述第一回收口回收的液体包括附着于所述处理衬底的背面中的比第一周壁部更靠外侧的区域上的液体。
4.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,所述第一回收口设于所述基材上的所述第一周壁部附近的规定位置。
5.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,所述第一回收口在所述基材上设置得比所述处理衬底的边缘部更靠内侧。
6.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,所述第一回收口分别设于沿着所述第一周壁部的多个规定位置上。
7.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,通过使由所述处理衬底、所述第一周壁部和所述基材包围的第一空间为负压,用所述第一支承部吸附保持所述处理衬底的背面。
8.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,所述第一周壁部具有与形成于所述处理衬底上的缺口部对应的凹部,
在所述凹部的内侧设有所述第一回收口。
9.根据权利要求8所述的衬底保持装置,其中,所述第一回收口设于沿所述第一周壁部的圆周方向偏离所述凹部的中心位置规定距离的位置。
10.根据权利要求1或2所述的衬底保持装置,其中,在所述第一周壁部的外侧,具备导引朝向所述第一回收口的气流的第二周壁部。
11.根据权利要求10所述的衬底保持装置,其中,所述第二周壁部的顶面与所述处理衬底的背面相对。
12.根据权利要求11所述的衬底保持装置,其中,所述第二周壁部的顶面低于所述第一周壁部的顶面。
13.根据权利要求10所述的衬底保持装置,其中,具有使所述第一周壁部与所述第二周壁部之间的第二空间和所述第二空间的外侧的第三空间流通的流路。
14.根据权利要求13所述的衬底保持装置,其中,所述流路包括设于所述第二周壁部的一部分上的孔。
15.根据权利要求13或14所述的衬底保持装置,其中,所述流路包括设于所述第二周壁部的一部分上的狭缝部。
16.根据权利要求13或14所述的衬底保持装置,其中,所述流路包括设于所述第二周壁部与所述处理衬底之间的间隙。
17.根据权利要求10所述的衬底保持装置,其中,在比第二周壁部更靠外侧处,具有第二回收口。
18.根据权利要求17所述的衬底保持装置,其中,具备平板保持部,该平板保持部形成于所述基材上,以包围所述处理衬底的周围的方式保持平板构件,
所述平板保持部以在所述平板构件的背面侧形成空间的方式保持所述平板构件,
所述第二回收口设于由所述平板保持部保持的平板构件的背面侧。
19.根据权利要求18所述的衬底保持装置,其中,所述处理衬底与所述第二周壁部的顶面的一部分区域相对,所述平板构件与所述第二周壁部的顶面的另一区域相对。
20.根据权利要求19所述的衬底保持装置,其中,在所述平板构件的背面与所述第二周壁部的顶面之间形成有间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造