[发明专利]双向场效应晶体管和矩阵转换器

权利要求书

1.一种双向场效应晶体管，包括：

半导体衬底；

栅极区域，其形成在该半导体衬底上，该区域包括平行于衬底主表面的沟道，和用于控制该沟道导电性的栅电极；

第一区域，其提供在该沟道的第一侧上；和

第二区域，其提供在该沟道的第二侧上；

其中通过施加到栅电极的栅电压来控制从第一区域经过沟道流到第二区域的第一电流和从第二区域经过沟道流到第一区域的第二电流。

2.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该栅极区域设置在该第一区域和第二区域的中心。

3.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该栅电极和居于该第一区域中的第一电极之间的间隔基本等于该栅电极和居于该第二区域中的第二电极之间的另一间隔。

4.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该栅极区域的沟道和居于该第一区域中的第一接触层之间的间隔基本等于该栅极区域的沟道和居于该第二区域中的第二接触层之间的另一间隔。

5.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该晶体管是其中栅极区域包括p-n结的结型。

6.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该晶体管是其中栅极区域包括金属层、绝缘层和半导体层的MIS型。

7.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该晶体管是其中栅极区域包括金属和半导体的肖特基结的MES型。

8.根据权利要求1的双向场效应晶体管，其中该半导体衬底由SiC形成。

9.一种矩阵转换器，包括：

多条输入线，具有第一频率的交变电流在其中流动；

多条输出线，具有第二频率的交变电流在其中流动；

多个开关器件，用于控制各输入线和各输出线之间的开和关；

其中对于开关器件，使用根据权利要求1至8中任一项所述的双向场效应晶体管。