[发明专利]具有后模制镀镍/钯/金的引线的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

半导体芯片，其具有多个接合垫；

引线框，其包含基底金属且具有多个引线区段，所述区段中的每一者具有接近所述芯片的第一末端和远离所述芯片的第二末端；

电互连，其分别位于所述芯片接合垫与所述第一区段末端之间；

封装材料，其覆盖所述芯片、电互连和第一区段末端，但使所述第二区段末端仍保持暴露；和

所述第二区段末端的至少若干部分，其所述基底金属由可软焊金属层和贵金属最外层的堆叠所覆盖。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述基底金属选自由铜、铜合金、铝、铁-镍合金和殷钢组成的群组。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述可软焊金属包含镍或镍合金。

4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的装置，其中所述最外层包含钯、金或钯与金两者。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的装置，其中所述最外层是与所述可软焊金属接触的钯层和与所述钯层接触的金层的堆叠。

6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的装置，其进一步包含位于所述第一区段末端中的每一者上的可接合金属层。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述可接合金属是银。

8.根据权利要求1-7中任一权利要求所述的装置，其中位于所述芯片接合垫与所述第一区段末端之间的所述电互连是接合线或回焊金属元件。

9.一种用于制作半导体装置的方法，其包含以下步骤：

提供具有多个接合垫的半导体芯片；

提供引线框，所述引线框包含基底金属且具有多个引线区段，所述区段中的每一者具有接近所述芯片的第一末端和远离所述芯片的第二末端；

分别将所述芯片接合垫与所述第一区段末端进行电连接；

封装所述芯片、互连和第一区段末端，但使所述第二区段末端仍保持暴露；

将所述第二区段末端的所述基底金属电解电镀上可软焊金属层，随后电解电镀上贵金属层；和修整和成形所述第二区段末端。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含以下步骤：

在所述封装步骤之后，对所述暴露的第二区段末端进行修边和清洁；和

在所述电解电镀步骤之前，激活所述暴露的第二区段末端。