[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，它包括：

栅电极；

在栅电极上形成的第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成的其中金属氧化物与有机化合物混合的混合层；

在该混合层上形成的第二绝缘层；和

在第二绝缘层上形成的半导体层；

其中当施加电压到栅电极上时，在该混合层内出现电荷分离。

2.权利要求1的半导体器件，其中该半导体器件进一步包括在半导体层上形成的源电极和漏电极。

3.权利要求1的半导体器件，其中该半导体器件进一步包括源电极和漏电极，其中该源电极和该漏电极分别部分地在半导体层一部分的下方形成。

4.权利要求1的半导体器件，其中半导体层是有机半导体层。

5.权利要求1的半导体器件，其中有机化合物选自4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺、4，4′-双{N-[4-(N，N-二间甲苯基氨基)苯基]-N-苯基氨基}联苯、酞菁、酞菁铜和酞菁氧钒。

6.权利要求1的半导体器件，其中金属氧化物选自氧化钒、氧化钼、氧化铌、氧化铼、氧化钨、氧化钌、氧化钛、氧化铬、氧化锆、氧化铪和氧化钽。

7.一种半导体器件，它包括：

栅电极；

在栅电极上形成的第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成的其中具有电子接收性能的金属氧化物与具有空穴传输性能的有机化合物混合的混合层；

在该混合层上形成的第二绝缘层；和

在第二绝缘层上形成的半导体层。

8.权利要求7的半导体器件，其中有机化合物选自4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺、4，4′-双{N-[4-(N，N-二间甲苯基氨基)苯基]-N-苯基氨基}联苯、酞菁、酞菁铜和酞菁氧钒。

9.权利要求7的半导体器件，其中金属氧化物选自氧化钒、氧化钼、氧化铌、氧化铼、氧化钨、氧化钌、氧化钛、氧化铬、氧化锆、氧化铪和氧化钽。

10.权利要求7的半导体器件，其中半导体器件进一步包括在半导体层上形成的源电极和漏电极。

11.权利要求7的半导体器件，其中该半导体器件进一步包括源电极和漏电极，其中该源电极和该漏电极分别部分地在半导体层一部分的下方形成。

12.权利要求7的半导体器件，其中半导体层是有机半导体层。

13.一种半导体器件，它包括：

栅电极；

在栅电极上形成的第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成的具有空穴传输性能的第一有机化合物层；

在第一有机化合物层上形成的其中具有电子接收性能的金属氧化物与具有空穴传输性能的第二有机化合物混合的层；和

在所述其中金属氧化物与第二有机化合物混合的层上的半导体层。

14.权利要求13的半导体器件，其中第一有机化合物层选自4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺、4，4′-双{N-[4-(N，N-二间甲苯基氨基)苯基]-N-苯基氨基}联苯、酞菁、酞菁铜和酞菁氧钒。

15.权利要求13的半导体器件，其中第二有机化合物选自4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺、4，4′-双{N-[4-(N，N-二间甲苯基氨基)苯基]-N-苯基氨基}联苯、酞菁、酞菁铜和酞菁氧钒。