[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200580042933.6 | 申请日: | 2005-11-21 |
公开(公告)号: | CN101111940A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 加藤清 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种可以进行数据通信的半导体器件。
背景技术
本发明涉及一种半导体器件,特别涉及可以进行无线数据通信的半导体器件。
可以进行无线数据通信的半导体器件以无线芯片为代表。无线芯片通过为对象分配识别码(ID)以及存储其历史信息来进行产品管理。被分配了ID的无线芯片(无线标签)也可用于个人数据、资金等的利用和管理。这种无线芯片被称为ID标签、IC卡等,它已被大量并广泛地用于识别技术的开发,并且需求还在不断增长。
无线芯片的通信距离、通信方法、尺寸、是否存在内部电源、内部存储器的配置等根据应用的不同而改变。对于产品管理,对于小而轻并能远距离通信的无线标签的需求不断增加。
没有内部电源而使用外部电源工作的无线标签能够减小尺寸和重量;然而通信距离很大程度上取决于环境,特别是天线周围是否存在着导体。
因为无线芯片进行无线数据通信,存在着数据被截获和数据伪造的风险。另外,有时候重要数据例如资金和个人隐私存储在无线芯片中,因此有必要加强存储数据的安全性。
因此,如果无线芯片结合了可重写存储器,就需要诸如密码安全技术这样的措施。
为了防止数据伪造,就需要结合一种只能写入一次而不能被重写的存储器(一次写入存储器)。
在结合了一次写入存储器的情况下,无线芯片优选地结合可以在制造之后写入数据的存储器,特别是在初次使用时写入数据而不是像掩模型只读存储器(mask ROM)那样只能在制造中写入数据的存储器。这样可以实现易用且高需求的无线芯片。
无线芯片的使用频率每年都在增加,无线芯片的制造成本需要更低廉。
为了提供满足用户需求的无线芯片,需要提供一种小而轻且通信距离远、数据安全性高、可用性高的无线芯片,它能通过使用廉价的材料和简单结构来降低制造成本。
很多已经投入使用的无线芯片具有使用诸如Si衬底的半导体衬底的电路(也称为IC:集成电路芯片)和天线。IC芯片由存储电路(也称为存储器)、控制电路等组成。这些半导体器件也需要以低成本制造;因此,近些年来使用有机化合物作为控制电路、存储电路的有机薄膜晶体管、有机存储器等得到了积极的发展(参见例如日本专利申请公开No.2004-47791)。
发明内容
如前所述,本发明提供一种可以进行无线数据通信的半导体器件,其可以在制造后写入数据并能防止由重写数据引起的数据伪造。本发明亦提供一种结构简单、材料便宜、制造成本低廉的半导体器件。此外,本发明提供一种具有上述功能并且内部结构不会阻碍无线通信的半导体器件。
本发明采用下列措施来解决上述问题。
本发明的半导体器件包括:有机存储器,具有包括多个存储单元的存储单元阵列;和控制电路,用来控制有机存储器。多个存储单元中的每一个包括晶体管和存储元件。存储元件具有有机化合物层夹在第一导电层和线条形状的第二导电层中间的结构。
本发明的半导体器件包括:有机存储器,具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制电路,用来控制有机存储器;以及天线,用来为控制电路提供电源。多个存储单元中的每一个包括晶体管和存储元件。存储元件具有有机化合物层夹在第一导电层和线条形状的第二导电层中间的结构。
本发明的半导体器件包括:有机存储器,具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制电路,用来控制有机存储器。多个存储单元中的每一个包括晶体管和存储元件。存储元件具有有机化合物层夹在第一导电层和线条形状的第二导电层中间的结构。第一导电层或/和第二导电层是透光的。
本发明的半导体器件包括:有机存储器,具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制电路,用来控制有机存储器;以及天线,用来为控制电路提供电源。多个存储单元中的每一个包括晶体管和存储元件。存储元件具有有机化合物层夹在第一导电层和线条形状的第二导电层中间的结构。第一导电层或/和第二导电层是透光的。
在上述结构中,有机化合物层是电子传输层或者空穴传输层。
在上述结构中,有机化合物层由电阻值由光照、加热或者电效应而改变的材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的