[发明专利]覆晶接点的功率组件封装

权利要求书

1.一种包含、保护与提供电性接点给一功率晶体管的功率组件封装，其特征在于，包括有：

一顶面引线架与一底面引线架，以无凸块的形式直接装设于该功率晶体管上。

所述的功率晶体管顶面具有一个源极垫与一个栅极垫，所述的底面引线架具有一个源极台阶区与一个栅极台阶区；

所述的源极垫和源极台阶区相匹配并接触，所述的栅极垫和栅极台阶区相匹配并接触，从而使该功率晶体管无凸块直接依附于底面引线架上；

所述的功率晶体管底面具有一个底面漏极接触垫，所述的顶面引线架具有一个底面漏极台阶区；

所述的底面漏极接触垫和底面漏极台阶区相匹配并接触；从而使该功率晶体管依附于顶面引线架上。

2.如权利要求1所述的功率组件封装，其特征在于，其中该功率组件具有一底面漏极接触垫，其依附于该顶面引线架，其中该顶面引线架更具有一延伸部，以提供一与该底面引线架同侧的底面漏极电极。

3.如权利要求1所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一金属接合层，以供无凸块直接附加该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架。

4.如权利要求1所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一导电胶环氧树脂层，其是以供无相匹配凸块直接附加该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架。

5.如权利要求1所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一导电胶层，其是以供无凸块直接附加该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架。

6.如权利要求1所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一焊锡附着物，其是以供无凸块直接附加该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架。

7.如权利要求1所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一碳胶层，其是以供无凸块直接附加该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架。

8.一种包含、保护与提供电性接点给数个功率晶体管的功率组件封装，其特征在于，其包括有：

一顶面与一底面引线架条，其每一个包含有数个顶面引线架与数个底面引线架，其中每一该顶面与该底面引线架被用来无凸块直接依附于该数个功率晶体管上。

所述的数个功率晶体管中每一个都具有一个源极垫与一个栅极垫，所述的数个底面引线架每一个都具有一个源极台阶区与一个栅极台阶区；

所述的每一个功率晶体管的源极垫都和与该功率晶体管对应的底面引线架的源极台阶区相匹配并接触，所述的每一个功率晶体管的栅极垫都和与该功率晶体管对应的底面引线架的栅极台阶区相匹配并接触，从而使每一个功率晶体管都无凸块直接依附于与该功率晶体管对应的底面引线架上；

所述的数个功率晶体管中每一个都具有一个底面漏极接触垫，所述的数个顶面引线架每一个都具有一个底面漏极台阶区；

所述的每一个功率晶体管的底面漏极接触垫都和与该功率晶体管对应的底面引线架的底面漏极台阶区相匹配并接触，从而使每一个功率晶体管都依附于与该功率晶体管对应的顶面引线架上。

9.如权利要求8所述的功率组件封装，其特征在于，其中每一该功率组件具有一底面漏极接触垫，其依附于该顶面引线架的其中之一，其中该顶面引线架更具有一延伸部，以提供一与该底面引线架同侧的底面漏极电极。

10.如权利要求8所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一导电胶环氧树脂层，其是用于供无凸块直接附加每一该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架其中之一。

11.如权利要求8所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一导电胶层，其是用于供无凸块直接附加每一该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架其中之一。

12.如权利要求8所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一焊锡附着物，其是用于供无凸块直接附加每一该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架其中之一。

13.如权利要求8所述的功率组件封装，其特征在于，其更包含有：

一碳胶层，其是用于供无凸块直接附加每一该功率晶体管于一该顶面引线架与底面引线架其中之一。