[发明专利]在以纳米线为基础的电子装置中用于栅极构造和改进触点的方法、系统和设备

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

具有芯部的至少一根纳米线；

栅极触点，所述栅极触点仅沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分的单侧被定位；

电介质材料层，所述电介质材料层位于所述栅极触点与所述至少一根纳米线之间，其中所述电介质材料层是围绕所述至少一根纳米线的所述芯部形成的壳层；

源极触点，所述源极触点仅在所述至少一根纳米线的与所述栅极触点相对的单侧上与所述至少一根纳米线的所述芯部接触；

漏极触点，所述漏极触点仅在所述至少一根纳米线的与所述栅极触点相对的所述单侧上与所述至少一根纳米线的所述芯部接触；且

其中所述源极触点和所述漏极触点中的至少一个的至少一部分与所述至少一根纳米线的所述长度的所述部分重叠。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述源极触点和所述漏极触点在小于所述纳米线芯部的整个横截面面积的区域内与所述至少一根纳米线芯部的所述单侧接触。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述漏极触点和所述源极触点在所述电介质壳层的对应的蚀刻部分处与所述至少一根纳米线芯部接触。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一根纳米线包括多根对齐的纳米线。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一根纳米线包括多根随机定向的纳米线。

6.根据权利要求l所述的电子装置，进一步包括：

村底，

其中所述源极触点和所述漏极触点形成在所述衬底上，所述至少一根纳米线沉积在所述源极触点和所述漏极触点上，且所述栅极触点形成在所述至少一根纳米线上的所述电介质材料层上。

7.根据权利要求l所述的电子装置，进一步包括：

衬底；

其中所述栅极触点形成在所述衬底上，所述至少一根纳米线沉积在所述栅极触点上，且所述源极触点和所述漏极触点形成在所述至少一根纳米线上。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中在所述栅极触点沉积在所述至少一根纳米线之前，所述电介质材料层形成在所述至少一根纳米线上。

9.根据权利要求l所述的电子装置，其中所述电子装置是晶体管。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述晶体管是场效应晶体管(FET)。

11.根据权利要求1所述的电子装置，还包括仅在所述至少一根纳米线的与所述栅极触点相对的所述单侧上的第二栅极触点。

12.一种电子装置，包括：

半导体纳米线，具有半导体芯部和至少一个电介质壳层：

连接到所述半导体纳米线芯部上的漏极触点和源极触点；和

连接到所述半导体纳米线的栅极触点，其中所述栅极触点的第一部分沿所述半导体纳米线的长度与所述漏极触点和所述源极触点中的至少一个重叠，并且所述栅极触点的第二部分形成围绕所述电介质壳层的栅极触点壳层，其中所述栅极触点壳层沿着所述半导体纳米线的长度设置在所述漏极触点和所述源极触点之间。

13.根据权利要求12所述的电子装置，进一步包括：

第二电介质材料层，所述第二电介质材料层定位于所述半导体纳米线和所述源极触点和/或漏极触点的至少一部分之间。

14.一种电子装置，包括：

多根半导体纳米线，每根半导体纳米线具有半导体芯部和至少一个电介质壳层；

仅连接到所述多根半导体纳米线的所述半导体芯部中的每一个的单侧上的漏极触点和源极触点；和

仅在每根半导体纳米线的与所述漏极触点和所述源极触点相对的单侧上连接到所述多根半导体纳米线的所述电介质壳层的栅极触点，其中所述栅极触点沿所述多根半导体纳米线的长度与所述漏极触点和所述源极触点中的至少一个重叠。

15.根据权利要求14所述的电子装置，进一步包括：

电介质材料，所述电介质材料位于所述栅极触点与所述多根半导体纳米线的所述半导体芯部之间。

16.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述多根半导体纳米线被对齐。