[发明专利]用于高密度等离子体应用的高真空下的自冷却气体分配装置

权利要求书

1.一种用于半导体制程处理室的气体分配器，其至少包含：

一气体入口；

一气体出口；

一杆部，具有一螺纹；

一本体，具有一自该杆部径向往外延伸的气体偏斜表面，以及一源自该气体偏斜表面、且设于该本体相对侧上的下表面；

一横向座，设于该螺纹及该气体偏斜表面之间；以及

一气体通道，自该气体入口延伸通过该杆部及本体而至该气体出口。

2.如权利要求1所述的气体分配器，其中该杆部长度介于约0.2至2.0英寸。

3.如权利要求1所述的气体分配器，其中该横向座是适于承托一密封组件。

4.如权利要求3所述的气体分配器，其中该密封组件为O型环。

5.如权利要求4所述的气体分配器，其中该O型环是由一选自铝及氟聚合物树脂所组成的群组中。

6.如权利要求1所述的气体分配器，其中该气体分配器为氧化铝制。

7.一种基材制程系统，该系统至少包含：

一制程处理室，具有一内部上表面，其包括一中央圆形开口；

一基材支撑件，设于该制程处理室中；

一气体分配器，延伸通过该处理室的上表面中的圆形开口而至该基材支撑件，该气体分配器至少包含一气体入口、一气体出口、一具有螺纹的杆部、一具有一自该杆部径向往外延伸的气体偏斜表面以及一源自该气体偏斜表面且设于该本体相对侧上的下表面的本体、一设于该螺纹及该气体偏斜表面之间的横向座、以及一自该气体入口通过该杆部及本体而至该气体出口的气体通道；以及

一气体出口，外切(circumscribing)于该气体分配器。

8.如权利要求7所述的设备，其更包含一气体分配档体，位于该处理室上表面的中央开口上方，该气体分配档体至少包含一螺纹，可螺入该气体分配器杆部的螺纹。

9.如权利要求8所述的设备，其中该气体分配档体更包括一流体连通该气体分配器的气体入口的气体通道，以及一流体连通外切该气体分配器的气体出口的第二气体通道。

10.如权利要求9所述的设备，其中该气体输送档体是耦接至一冷却水来源。

11.如权利要求9所述的设备，其中该与气体分配器的气体入口流体连通的气体通道中存有一第一压力，且该制程处理室的内部中存有一第二压力。

12.如权利要求11所述的设备，其中该第一压力是大于该第二压力。

13.如权利要求12所述的设备，其中该第一压力约为5Torr，而该第二压力约为5mTorr。

14.如权利要求7所述的设备，其中该制程处理室为一高密度等离子体处理室。

15.如权利要求7所述的设备，其中该横向座是适于承托一密封组件。

16.如权利要求15所述的设备，其中该密封组件为一O型环。

17.如权利要求16所述的设备，其中该O型环是由一选自铝及氟聚合物树脂所组成的群组中。

18.一种用于半导体制程处理室的气体管，该气体管至少包含：

一近侧部及一末端部，该近侧部是连接至该半导体制程处理室之处理室壁，该末端部是向内远离该处理室壁而至该半导体制程处理室的内部；

一近侧端，经配置以耦接一气体供应器；

一杆部，邻接该近侧端；

一螺纹部，邻接该杆部；

一末端，至少包含一管开口；

一管本体，自该末端延伸一第一距离；

一气体通道，自该近侧端延伸至该末端；以及

一横向座，设于该螺纹部及该管本体之间。

19.如权利要求18所述的气体管，其中一密封组件是经设置以接触该横向座及该半导体制程处理室之处理室壁。

20.如权利要求18所述的气体管，其中该密封组件为一O型环。